发布时间:2015-09-6 阅读量:913 来源: 我爱方案网 作者:

测试条件: IF=350mA, Tj=85°C(高色温区分选(Hot binning))
*@Ta=25°C时的光通量为参考
*上述特性表中给出的是典型值。
新产品的主要特性:
采用面向LED照明开发的硅基氮化镓技术[3]
3.5 x 3.5mm透镜封装
对光通量/正向电压/色度/显色指数(Ra)进行了分类(在@IF=350mA, Tj=85°C条件下)
光通量:140lm(最小值)@IF=350mA, Tj=85°C (165lm@IF=350mA, Ta=25°C)
正向电压:VF=2.8V@IF=350mA, Tj=85°C
色温类别:6500K/5700K/5000K/4000K
应用
路灯、泛光灯、LED灯泡和筒灯
注:
[1]测试条件IF=350mA, Tj=85°C
[2]在驱动器效率为90%、光效率为90%、 Tj=85°C的条件下
[3]在硅(Si)片上生成氮化镓(GaN)的技术。
欲了解有关该产品的更多信息,请访问:
http://toshiba.semicon-storage.com/zh_cn/product/opto/white-led.html
近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。
京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”
日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。
一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。
台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地