方案分享:一种漏电保护器电路设计

发布时间:2016-10-29 阅读量:1057 来源: 发布人:

随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高,家用电器等设备增加,而家用电器普遍存在感性负载和容性负载,这些负载在使用中易产生感应电动势、浪涌电压以及冲击电流,从而要求漏电断路器对抗浪涌电压、冲击电流等干扰的能力越来越强,使漏电断路器在各种情况下能可靠使用,确保漏电断路器不出现误跳和失效现象。

1.漏电芯片电源部分

最新的国家标准GB16917.1-2014(带过载电流保护的漏电断路器标准)中规定,对于应用于三相四线制中的漏电保护器,当其中任意两相发生断相的故障且此时线路中存在漏电流,若该漏电流达到漏电保护器的整定动作电流值IΔn,那么漏电保护器必须可靠脱扣,能够发挥保护功能。

针对这一标准,漏电保护器的整流部分,通常采用全桥整流就能满足要求,只要考虑整流二极管的反向耐压值能满足EMC方面的试验要求。若采用集成芯片如54123方案,那么芯片8脚需要并联钽电容和X7R封装电容,起到整流后滤波和抗高频干扰的作用,这样芯片54123才能工作在较理想的状态。同时国家标准GB16917.1-2014中规定了:若漏电保护器的整定漏电动作电流小于等于30mA,则该漏电保护器需要满足50V动作特性。

50V动作特性:当漏电保护器RCBO处于闭合位置时切断电源,RCBO不应分断;紧接着在电源端施加50V电压,对RCBO某一极突加IΔn,RCBO应脱扣。为了满足这个动作特性,就要合适的选择芯片54123的电源脚的降压电阻,使得当电源端电压为交流50V时,经过整流滤波之后芯片54123的电源电压在其数据手册规定范围内(最小值为12V,通常需要16V)。经过这两个步骤,应该说漏电集成芯片的电源端是比较理想的,如果PCB空间充足情况下还可在电源引脚和地之间并联一个稳压管。

2.可控硅触发部分

断路器三相同时通电时,经过全桥整流之后加在可控硅两端的直流电压超过500V,对单个可控硅的参数要求非常高,目前主流产品都是采用双硅串联的电路,以此降低单个可控硅两端的直流电压,提高可控硅触发电路的可靠性和稳定性。现有技术采用的双硅串联电路如下图所示,只是简单的把两个可控硅串联起来,当漏电IC芯片检测到漏电信号达到跳闸阈值时,跳闸信号输出引脚输出高电平,可控硅SCR2触发,继而可控硅SCR1触发,从而使得漏电断路器线圈脱扣

。断路器正常通电情况下,整流之后的直流电压几乎全部加在可控硅SCR1上,SCR2并没有起到分担电压的作用。若可控硅SCR1性能参数不良被击穿时,线路中的高直流电压非常容易再次击穿可控硅SCR2,导致漏电断路器直跳异常现象的发生。这种线路对单个可控硅的参数性能要求依旧很高,并没有充分利用双硅串联的可靠性。

因此,通过上述分析,漏电保护器可控硅触发部分的设计,最重要的是要使得两个串联的可控硅在漏电保护器正常通电时的承受电压比较均匀,这样才能充分发挥两个可控硅的作用,提高线路的整体耐压水平。



最容易想到的就是通过电阻进行分压如图,其中R3,R4电阻阻值要选择一样,根据可控硅SCR1的具体参数选择合适的R5,R6阻值,保证可控硅SCR2触发时可控硅SCR1能被可靠触发。当断路器正常通电时,经过整流之后的直流电压通过R3和R4构成的均分分压电路,可控硅SCR2视为阻值非常大的电阻,使得加在可控硅SCR1阴极上的电压几乎和触发极一样,同为阳极电压的一半。此时可控硅SCR2的阳极电压也就是可控硅SCR1阳极电压的一半,实现两个可控硅分担均分电压,即使单个可控硅的耐压参数不高,也能可靠的工作。当漏电IC芯片检测到漏电信号达到跳闸阈值时,跳闸信号输出引脚输出高电平,可控硅SCR2触发,此时可控硅SCR2的阳极电压接近于0,可控硅SCR1阳极电压经过电阻R3,R4,R5,R6构成的分压电路,以合适的电压加在触发极上,从而使得漏电断路器线圈脱扣。

相关资讯
产业深度:2025深圳国际半导体展(SEMI-e)的战略布局与技术前瞻

2025年9月10-12日,SEMI-e深圳国际半导体展将携手中国国际光电博览会(CIOE),在深圳国际会展中心构建覆盖32万平方米的全球半导体产业生态平台。本届展会由集成电路创新联盟与CIOE联合主办,预计吸引超1000家国际头部企业参展,涵盖芯片设计、晶圆制造、先进封装、核心设备及材料等全产业链环节。展区规划聚焦六大核心领域——IC设计与应用、半导体制造、化合物半导体、先进封装技术、设备与材料、AI算力基础设施,集中展示第三代半导体、Chiplet封装、车规芯片等前沿技术成果,推动半导体与光电、汽车、通信等产业的交叉创新。

全球晶圆厂陷投产僵局:技术迭代与成本压力下的战略调整

全球半导体产业正经历深度结构性调整,龙头企业集体陷入"投产困局"与"亏损漩涡"的双重考验。三星电子美国泰勒工厂设备进口延期、台积电海外基地运营成本失控等标志性事件,暴露出行业面临市场需求周期性下行、地缘政治扰动加剧、技术迭代成本陡增等系统性压力。贝恩咨询数据显示,2023年全球晶圆代工板块平均毛利率下降8.2个百分点,而3nm以下先进制程研发支出激增42%,印证产业步入"高投入、低回报"的战略转型深水区。在此背景下,头部企业通过技术联盟重构、区域产能优化等创新策略,试图在行业洗牌中重塑竞争优势。

性能对标国际品牌!南芯SC25042Q为智能汽车打造高性价比通信方案

在智能汽车高速发展的浪潮下,车载通信网络正面临数据传输速率、信号完整性及国产化替代的多重挑战。近日,南芯科技推出的车规级高速CAN/CAN FD收发器SC25042Q,以5Mbps传输速率、自主振铃抑制技术及全场景兼容性破局而生。该产品通过AEC-Q100认证,对标国际品牌性能,不仅解决了传统CAN总线在复杂拓扑下的信号失真和误码率难题,更依托全国产化供应链实现成本优化,为智能座舱、车身控制及新能源高压系统提供了高可靠通信方案,成为国产车载芯片突围高端市场的关键落子。

6000元补贴撬动百亿市场:国产手机品牌集体“狂飙”

根据Counterpoint Research最新报告,2025年第一季度中国智能手机市场销量同比增长2.5%,延续了2024年以来的温和复苏趋势。这一增长主要得益于国家补贴政策的刺激:自1月启动的“国补”计划覆盖售价低于6000元人民币的机型,单机最高补贴500元,直接拉动中高端市场消费活力。数据显示,补贴政策实施首月(1月20日-26日)单周销量同比激增65%,显示出政策对换机需求的显著撬动作用。

国产替代进阶:纳芯微SoC方案降本15%,加速车企智控升级

2025年4月23日,全球汽车产业目光聚焦上海国家会展中心5.2馆。在中国汽车芯片产业创新战略联盟主导下,首个聚焦汽车芯片的集成型展示平台"中国芯"展区正式启幕。作为科创板汽车芯片第一股的纳芯微电子(股票代码:688052),携12大产品线矩阵惊艳亮相,现场展出的嵌入式电机驱动SoC NSUC1610更斩获"年度影响力汽车芯片"大奖,标志着国产汽车芯片正式进入系统级创新阶段。