TDK推出用于直流链路的爱普科斯薄膜电容器——B3277*H

发布时间:2018-05-17 阅读量:1022 来源: 我爱方案网 作者: lina编辑


TDK集团扩展了其用于直流链路的爱普科斯 (EPCOS) 薄膜电容器系列。新扩展的B3277*H系列适用于严苛的环境条件,并且在环境温度为60°C,相对湿度为95%,以及额定电压条件下进行了历时1,000小时的温湿度偏置 (THB) 测试,性能极为稳定性。当然,对于其他特殊型号,我们同样在环境温度为85°C,相对湿度为85%,以及额定电压条件下进行了历时1,000小时的THB测试。



这些电容器的额定电压范围为450 V DC至1100 V DC,电容值范围为1.5μF至120μF,兼容RoHS标准,最高工作温度达105°C。电容器引脚间距分别为27.5 mm、37.5 mm或52.5 mm不等,具体视元件的额定电压和电容而定。其中引脚间距为52.5mm的电容器仅提供4引脚型号。在额定电压条件下,工作温度为85°C时,自愈电容器的使用寿命为50,000小时。

这些电容器广泛适用于各种领域,包括光伏系统转换器、变频器和工业应用电源的直流链路。此外TDK集团还能应客户要求提供符合AEC-Q200标准的电容器。

主要应用

应用于光伏系统转换器、变频器和工业应用电源的直流链路

主要特点与优势

适用于严苛的环境条件
宽额定电压范围:450 V DC至1100 V DC
宽电容值范围:1.5 nF至120 μF


相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地