发布时间：2018-07-5 阅读量：1182 来源: 我爱方案网 作者: sunny编辑
集成是有好处的有很多原因，但每次集成度的增加通常都伴随着对更多电力的需求。负载点电源(POL)稳压器很好地在需要处并以适当的电平提供电力，但也面临着挑战。
这些挑战包括高能效和合适的功率密度，当然，还有扩展到可编程性和灵活性、具有快速的瞬态响应、严格的容限和精度。所有这一切，必须结合在一个方案中，具有可靠的电流和电压保护及卓越的热管理。
高电流的POL应用确实存在着一系列的挑战，但是FAN6500XX产品系列已经被设计用来处理这些问题。FAN65004B/5A/8B系列能提供高达100 W的功率及达95%的高能效，提供出色的热性能，在小的6x6mm PQFN 35封装中温度仅升29°C。此外，FAN 65系列有一个节能模式，以实现轻载条件下的更高能效。
开发所有器件在一个多芯片方案中的一个巨大优势是能在门极驱动器和MOSFET之间进行设计优化。FAN6500XX采用安森美半导体的PowerTrench® MOSFET技术。这种屏蔽门（shield gate）技术提供更低的开关节点振铃和降低的击穿或交叉传导的风险。可靠性也得到了提高，因为模块化方案意味着现在电源设计中只有单个故障点。
该宽Vin(65V)产品系列按输出电流分为6A、8A或10A。所有器件之间的引脚兼容性和扩展性确保了原始设备制造商（OEM）能够为其应用选择最理想的器件，即使PCB设计已经完成。固定频率电压模式PWM控制拓扑结构支持易于补偿、低输出纹波和低电磁干扰（EMI）。FAN6500XX为高占空比(后缀“A”)和低占空比(后缀“B”)的应用提供优化的性能。
更高的功率要求通过可编程和可同步的开关频率(100 kHz-1 MHz)特性解决，当多个FAN6500XX器件被并行使用时，可以保证低的输入纹波。
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年，全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片，2024-2028年复合增长率达7%。其中，7nm及以下先进制程产能增速尤为显著，将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片，年复合增长率14%（行业平均的2倍），占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认，高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将首次采用双轨代工策略：台积电负责基于N3P（3nm增强版）工艺的通用版本，供应主流安卓厂商；而三星则承接其2nm工艺（SF2）专属版本，专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖，三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下，存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元，创历史新高，其中高带宽内存（HBM）业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破，美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单，更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%，直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成，一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
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随着汽车智能化电动化进程加速，自动驾驶（AD）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元（ECU）和传感器，导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）的需求随之水涨船高，尤其是在集成电路（IC）周边，对大容量电容的需求尤为迫切。然而，有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾，元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。
