发布时间：2018-07-24 阅读量：670 来源: 我爱方案网 作者: sunny编辑
行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。
同时，我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
一个主要优势是大大减少开关损耗。首先，这意味着器件运行更不易发热。这有益于整个系统，因为可减少散热器的大小(和成本)。其次是提高开关速度。设计人员现可远远超越硅MOSFET或IGBT的物理极限。这使得系统可减少无源器件，如变压器、电感和电容器。因此，WBG方案可提高系统能效，减小体积和器件成本，同时提高功率密度。
碳化硅二极管广泛用于能效至关重要的各种PFC拓扑结构。而且更易于处理电磁干扰(EMI)，因其极快的反向恢复速度。安森美半导体拥有完整的650 V和1200 V SiC二极管产品阵容，涵盖单相和多相应用的所有功率范围。同时，我们将于2018年晚些时候推出的1200 V MOSFET，将提供最高的性能及极佳的强固性和高可靠性。安森美半导体提供一种专利的终端结构，确保同类最佳的强固性和不会因湿度影响导致相关的故障。
随着人工智能算力需求爆发式增长，高带宽内存（HBM）技术成为全球半导体巨头的必争之地。据韩国权威科技媒体ZDNet Korea披露，三星电子于2025年2月启动12层堆叠HBM3E内存的量产计划，试图通过超前布局争夺英伟达的AI芯片订单。然而，由于该产品尚未通过英伟达的质量认证，三星当前面临库存积压与市场窗口期缩短的双重挑战。
2025年第一季度，中国智能手机市场延续了自2024年以来的复苏态势，出货量同比增长9%至6870万部，连续五个季度实现正增长。这一增长得益于多重因素：
随着工业控制系统向智能化、高集成化方向演进，国产MCU在实时通信、算力效率及成本控制等领域面临严峻挑战。先楫半导体推出的HPM5E00系列，凭借480MHz主频、EtherCAT协议深度集成及运动控制优化设计，成为工业自动化领域国产替代的标杆产品.该系列不仅延续了HPM6E00的高算力基因，更通过低功耗架构与紧凑封装实现三大技术升级，为工控、机器人等场景提供全新解决方案。
在全球人口突破85亿的背景下，粮食安全与农业可持续发展已成为各国战略重点。作为全球领先的半导体与电子元器件供应商，贸泽电子近日推出农业资源中心，系统性整合物联网（IoT）、人工智能与卫星遥感技术，为现代农业提供从数据采集到决策优化的全链条技术支持。
2025年5月7日，威世科技（Vishay Intertechnology）宣布推出全球首款符合AEC-Q100标准的矩形环境光传感器VEML4031X00，其采用4.38 mm×1.45 mm超薄表贴封装，厚度仅0.6 mm，专为汽车无边框中控显示器等空间受限场景设计。该产品集成环境光（ALS）与高灵敏度红外光电二极管，光谱响应范围0 lx至172,000 lx，解决了传统传感器在深色盖玻片后灵敏度不足的行业痛点。
