发布时间：2019-12-25 阅读量：1876 来源: 我爱方案网 作者:
二极管的特性主要包括：正向特性、反向特性、反向击穿特性、反向恢复特性。
1、正向特性
当正向电压很低时，正向电流几乎为零，这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。当正向电压超过二极管开启电压Uon（又称为死区电压）时，电流增长较快，二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为Uon=0.5V，锗管为Uon=0.2V。二极管导通后，二极管两端的导通压降很低，硅管为0.6～0.7V，锗管为0.2～0.3V。
二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线向左移，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而减小。研究表明，温度每升高10℃，正向压降减小2mV。
2、反向特性
PN结加上反向电压时，已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载流子数量少，且在一定温度下数量基本维持不变，因此，当反向电压在一定范围内增大时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流，一般小功率锗管的反向电流可达几十μA，而小功率硅管的反向电流要小得多，一般在0.1μA以下，当温度升高时，少数载流子数目增加，使反向电流增大，特性曲线下移，研究表明，温度每升高100℃，反向电流近似增大一倍。
3、反向击穿特性
当反向电压增大到UBR（反向击穿电压）时，外电场能把原子核外层的电子强制拉出来，使半导体内载流子的数目急剧增加，反向电流突然增大，二极管呈现反向击穿的现象。二极管被反向击穿后，就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿，利用电击穿可制成稳压管，而热击穿将引起电路故障，使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。
齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离出来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到（杂质大电荷密度就大）。
一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，如稳压二极管。
只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！击穿类型由掺杂浓度决定（掺杂浓度大的为齐纳击穿）。通常，击穿电压<6~7V的属于齐纳击穿，稳压管的温度系数为负；高于此电压的属于雪崩击穿，稳压管的温度系数为正，这是由PN结的内部结构决定的，能不能恢复要看PN结是不是被物理地烧坏，与产生击穿的机制是无关的！
4、反向恢复
一般二级管：trr为1~10微秒，可用于低频整流；
快恢复二极管：trr小于1个微秒；
超快恢复二级管trr小于100纳秒（外延法制造）；
肖特基二级管trr在10纳秒左右。
以上就是针对二极管的正向特性、反向特性、反向击穿特性、反向恢复特性的简单介绍。
推荐阅读：
无源晶振与有源晶振是电子系统中两种根本性的时钟元件，其核心区别在于是否内置振荡电路。晶振结构上的本质差异，直接决定了两者在应用场景、设计复杂度和成本上的不同。
RTC（实时时钟）电路广泛采用音叉型32.768kHz晶振作为时基源，但其频率稳定性对温度变化极为敏感。温度偏离常温基准（通常为25℃）时，频率会产生显著漂移，且偏离越远漂移越大。
有源晶振作为晶振的核心类别，凭借其内部集成振荡电路的独特设计，无需依赖外部电路即可独立工作，在电子设备中扮演着关键角色。本文将系统解析有源晶振的核心参数、电路设计及引脚接法，重点阐述其频率稳定度、老化率等关键指标，并结合实际电路图与引脚定义，帮助大家全面掌握有源晶振的应用要点，避免因接线错误导致器件失效。
晶振老化是影响其长期频率稳定性的核心因素，主要表现为输出频率随时间的缓慢漂移。无论是晶体谐振器还是晶体振荡器，在生产过程中均需经过针对性的防老化处理，但二者的工艺路径与耗时存在显著差异。
在现代汽车行业中，HUD平视显示系统正日益成为驾驶员的得力助手，为驾驶员提供实时导航、车辆信息和警示等功能，使驾驶更加安全和便捷。在HUD平视显示系统中，高精度的晶振是确保系统稳定运行的关键要素。YSX321SL是一款优质的3225无源晶振，拥有多项卓越特性，使其成为HUD平视显示系统的首选。
