发布时间：2020-01-13 阅读量：840 来源: 《联合报》 发布人: Viva
据台湾《联合报》报道，南亚科总经理李培瑛于10日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术，将在今年下半年试产。
据悉，全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他们的份额高达95%以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。
南亚科现在以20纳米技术为主力，技术来源为美光。随着南亚科10纳米制程导入自主技术，意味未来不再仰赖美光授权，每一颗产品都是公司自行开发，摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况，免除动辄上百亿元的授权费用，包袱大减。
李培瑛表示，南亚科已成功开发出10纳米DRAM新型记忆体生产技术，使DRAM产品可持续微缩至少三个时代。第一代的10纳米前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台，2020下半年后将进入产品试产。
第二代10纳米制程技术已开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代10纳米制程技术。他强调，南亚科进入10纳米制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，能大幅提升效能。
顺应10纳米制程发展，南亚科今年资本支出金额将高于去年的55亿元。李培瑛说，除可改善成本，南亚科成功自主开发10纳米制程技术，将有助掌握朝高密度新产品发展机会与技术进展。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速，车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增，数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议（如TI的FPD-Link、ADI的GMSL）垄断车载SerDes市场，导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月，纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组（NLS9116加串器与NLS9246解串器），通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控，为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案，标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。
格科微电子（688728.SH）2024年度财务报告显示，公司年度营收突破63.83亿元人民币，实现35.9%的同比增幅，归母净利润呈几何级增长达1.87亿元，EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略，特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。
