发布时间：2020-01-13 阅读量：863 来源: 《联合报》 发布人: Viva
据台湾《联合报》报道，南亚科总经理李培瑛于10日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术，将在今年下半年试产。
据悉，全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他们的份额高达95%以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。
南亚科现在以20纳米技术为主力，技术来源为美光。随着南亚科10纳米制程导入自主技术，意味未来不再仰赖美光授权，每一颗产品都是公司自行开发，摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况，免除动辄上百亿元的授权费用，包袱大减。
李培瑛表示，南亚科已成功开发出10纳米DRAM新型记忆体生产技术，使DRAM产品可持续微缩至少三个时代。第一代的10纳米前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台，2020下半年后将进入产品试产。
第二代10纳米制程技术已开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代10纳米制程技术。他强调，南亚科进入10纳米制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，能大幅提升效能。
顺应10纳米制程发展，南亚科今年资本支出金额将高于去年的55亿元。李培瑛说，除可改善成本，南亚科成功自主开发10纳米制程技术，将有助掌握朝高密度新产品发展机会与技术进展。
三星电子近期在第六代1c纳米级DRAM晶圆测试中实现重大突破，良率跃升至50%-70%，较2023年不足30%的水平翻倍增长。这一进展源于其研发团队对芯片结构的重新设计，通过创新性架构调整显著提升能效与生产稳定性。此前因技术优化导致的量产延迟已通过激进投资策略弥补，三星正同步推进平泽工厂P3/P4生产线的设备部署，为年内启动大规模量产铺平道路。
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