三星、SK海力士力推，DRAM制造进入EUV时代

虽然手机SoC对于半导体工艺制程要求较高，目前不少已经进入了5nm，但对于DRAM内存芯片来说，对于制程工艺的追求却要慢很多。不过，近日据韩国媒体报道称，三星电子全新半导体工厂“平泽2厂”（P2）已于开始运营，这座目前全球最大的半导体工厂将率先采用EUV工艺来生产移动DRAM产品。

EUV是一种波长为13.5纳米极紫外线光源，其波长大约是今天广泛使用的DUV深紫外光源的十分之一，因此能够在半导体晶圆上刻画出更加精细的电路。由于简化了半导体制造工艺，EUV能够将制造精细电路所需的光刻工艺可近减少一半，并大幅提高生产率。目前7nm以下的半导体制造必须依赖于EUV光刻机才能够实现。

据三星电子的一位发言人此前向《电子时报》透露，使用EUV的1a工艺，生产效率是基于12英寸晶圆的1x工艺的两倍。

然而，EUV光刻机造价昂贵，单台超过1亿欧元，所需投资巨大，同时EUV光刻技术也有很高的技术壁垒。因此，三星电子的EUV DRAM商业化决定不可谓不大胆。在今年3月将该技术应用于10nm级（1x）进程的DRAM之后，三星已具备将该技术应用于其第三代1z进程DRAM的能力。

据了解，三星的EUV DRAM是基于其第三代10nm级（1z）工艺的16Gb LPDDR5 DRAM开发的全新移动DRAM产品，传输速度达到6400 Mb/sis，比目前大多数旗舰智能手机的12Gb LPDDR5（5500 Mb/s）快16%。而当该DRAM被制成16GB封装时，能够在一秒钟内处理51.2GB大小的文件，相当于10部全高清电影（5GB）。

三星电子的下一个目标是将该技术应用到下一代产品——第四代10nm级（1a）流程上的DRAM上。公司副董事长金基南（Kim Ki-nam）在今年3月举行的股东大会上表示，该公司计划开发第四代10nm级DRAM和第七代V-NAND内存，并计划在明年某个时候量产第四代10nm级DRAM。

除了三星之外，另一家DRAM大厂——SK海力士也已在加速推进其基于1a工艺的EUV DRAM产品量产计划。

据韩媒报道称，SK海力士旗下未来技术研究所专门成立了一个EUV光刻工作小组，正在研究EUV光刻所需的必要技术，如光刻、蚀刻和掩模制造，目标是将EUV工艺应用于明年初的1a dram生产，同时为在2022年完成1b EUV DRAM的开发制定了路线图。

据ETNews预计，SK海力士将在其下一代DRAM的生产基地M16芯片厂批量生产EUV DRAM，目前已经在园区内安装了两台EUV光刻机。一旦M16工厂的建设按计划在今年年底完成，SK海力士将开始在M16工厂建造与EUV光刻相关的必要设施和设备。

专家预测，SK海力士将像三星电子一样，在DUV光刻机难以实现的层级上应用EUV工艺。另有一些说法称，SK海力士已经确保了可观的EUV DRAM产量水平。

目前，三星电子、SK海力士和美光科技占据全球DRAM市场约94%的份额，而三星电子和SK海力士约占74%的份额。而在这三家公司中，也仅有美光尚未在其产品中引入EUV技术，据悉正寻求用其现有的光刻技术尽可能满足需求。

ETNews认为，三星电子和海力士正寻求通过自己的EUV DRAM技术实现差异化，这可能会导致市场的寡头垄断结构发生变化，而这种情况本不可能改变。EUV DRAM将进一步扩大韩国半导体企业与中国半导体企业之间的差距。

根据韩国进出口银行关于中国半导体行业现状和预测的报告，认为当前韩国与中国的DRAM技术存在5年的差距。报告还指出，由于EUV设备的昂贵成本和有限的供应能力，韩国公司将有可能在与中国公司的竞争中确立更大的优势。