发布时间：2020-11-25 阅读量：1024 来源: IT之家 发布人: coo
据彭博报道，台积电将于2022年下半年开始量产3纳米芯片，单月产能5.5万片起。
报道援引台积电董事长刘德音称，3纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约2万人，目前为1.5万人。
今年8月份，台积电高级副总裁米玉杰表示，该公司有计划继续提供有意义的节点改进，直到N3及以下。台积电预计N3将在2022年成为最新、最先进的节点。与N5相比，收益同样不大，性能仅提升1.1-1.15倍，功耗降低1.25-1.3倍。这些增益是相对于N5而言的，而不是N5P。与7纳米相比，N3在同样的功率下，性能应该提高1.25倍-1.35倍，或者在同样的性能下功耗降低1.55倍-1.6倍。在这些比较中，你看到的所有倍数都是假设一个理想化的晶体管，并不一定符合AMD、英特尔甚至英特尔实际制造的产品。
IT之家了解到，台积电N3将继续使用FinFET鳍式场效晶体管，而不是过渡到GAA环绕式结构场效晶体管。这与三星不同，三星已经表示要在3纳米节点使用GAA。
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在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
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电路板中常用到恒温与温补这两种晶振，恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，既有源晶振，所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作
汽车电子系统日益复杂，尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下，对瞬态电压抑制器（TVS）的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大，难以适应紧凑的ECU布局。威世科技（Vishay）日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS，以创新封装与卓越性能直面行业痛点，为下一代汽车设计注入强大保护能力。
