发布时间：2020-11-26 阅读量：1343 来源: 发布人: coo
随着5G、新能源车的快速发展，我国第三代半导体也正面全面爆发。
据第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。
吴玲建议，探索构建第三代半导体产业创新生态，摸索“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通发展的新模式，加强精准的国际与区域深度合作，共同努力使全链条进入世界先进行列。
需要注意的是，氮化镓的应用范围不只在快充、智能手机等消费类电子领域，还有数据中心、柔性供电等工业领域，以及自动驾驶、车载充电机等汽车领域。如，低压氮化镓可应用于新一代大数据中心，以减少占地、提高功率、降低能耗。
第三代半导体另一个重要产品碳化硅，则将受益于电动汽车行业的快速成长而迎来爆发机会。
在智能驾驶飞速发展的时代，5.9GHz频段的C-V2X（蜂窝车联网）和5.8GHz频段的DSRC（专用短程通信）已成为车辆与环境交互的关键神经。然而，GHz频段内日趋复杂的电磁环境却为通信灵敏度与可靠性带来严峻挑战。传统噪声抑制元件在应对高频宽范围干扰时力不从心，高性能宽频噪声解决方案成为行业急需突破的技术瓶颈。村田制作所（Murata）以其深厚的材料技术积淀和创新设计，适时推出了革命性的片状铁氧体磁珠——BLM15VM系列，直击高频车联网通信的核心痛点。
据彭博社6月20日报道，微软计划于今年7月启动大规模组织结构调整，预计裁员数千人，主要集中在全球销售与客户服务部门。此举引发行业对科技巨头战略重心迁移的高度关注，尤其引人瞩目的是其裁员节省的资金流向——微软官方确认将在新财年向人工智能基础设施领域投入约800亿美元。
在AI服务器爆发式增长、新能源系统复杂度飙升的产业背景下，传统控制芯片正面临三重挑战：碳化硅/氮化镓器件的高频开关控制需求、功能安全标准升级、以及机器学习边缘部署的实时性要求。Microchip最新推出的dsPIC33AK512MPS512与dsPIC33AK512MC510数字信号控制器（DSC），通过78ps PWM分辨率与40Msps ADC采样率的核心突破，为高精度实时控制树立了新基准。
根据权威机构IDC最新发布的《全球智能家居设备季度追踪报告》，2025年第一季度全球智能扫地机器人市场迎来强劲开局，总交付量达到509.6万台，较去年同期增长11.9%，连续第二个季度实现超过20%的增长率。市场活力显著提升，展现出强劲复苏势头。
随着ADAS渗透率突破50%（据Yole 2023数据），车载传感器供电与数据传输架构面临革命性变革。传统双线分立设计（电源线+信号线）导致线束占整车重量超3%，且故障率居高不下。TDK株式会社推出的ADL8030VA系列PoC专用电感器，通过单元件高集成方案重构滤波电路，为智能驾驶系统提供空间与可靠性双重优化路径。
