射频晶片测试和485接口模式

传统上在RF测试领域，晶片探针测试通常最后会被封装测试代替，这是因为早期的晶片探针和晶片探针接口的设计难于处理在RF频段上接口之间产生的寄生电容和电感问题，噪声的处理同样也是一个大的问题，然而，随着SIP的出现使封装更复杂和相应的封装成本上升，以及直接销售，这些改变使得晶片探针测试很有必要。

而且，由于不同功能的晶粒(die)组合在一个封装里，举一个最坏的情况，一个良率低的便宜的晶粒可能损害整个封装，使得价格昂贵的晶粒(加上封装)都没用。这些需求驱动着RF晶片探针测试技术前进。对于SIP，测试可以在封装后进行，也可以在各个部分整合之前晶片阶段进行。通常，在大部分封装测试前，各个组成的晶粒需要单独进行探针测试，对于RF芯片，现在晶片级必须进行测试，但是在过去对于RF芯片这些测试是尽量避免的。结果就是，KGD使得RF芯片的晶片探针测试逐渐成为主流。  

SOC的正式定义是在单一芯片上构建一个系统，在SOC芯片中，核(Core)是在硅片级被整合的。在SIP中，同样的整合是在封装级发生的。随着SIP的出现，不同的IP可以用在同一个封装内。实际上，在某些情况下，不同厂家的晶粒(die)也可以在一起使用。在最近独立的RF芯片功能模块(如低噪声放大器，混频器等)才与数字或模拟功能模块放到同一个晶粒(die)中。RF内核放到SOC或SIP中这两种集成方法的主要不同是各自相应带来的成本好处，这些好处可以分别通过其内部使用核的函数表达，这两种集成方式的不同包括：其内核预期的良率和产品封装的成本。

就像决定是去测试各个单独内核还是测试整个SIP，这也是各个独立内核良率的函数。考虑到这里，SIP的整体良率就变成下式：YSiP=Ycore1×Ycore2×…×YcoreN因此，可以非常明显的看到，在一个SIP中有越多的核，SIP的整体良率越依赖于其封装中各个单独核的良率。而且，只要有一个良率不好的核就会导致许多其它好的核和整个封装报废。然而，从正面来看，如果制造过程得到了很好的控制并且良率很高，等到所有的晶粒被封装成SIP时，那么测试的成本就会有非常大的减少，尤其当系统级的测试得以实现时。

RS-485接口可使用一对传输线工作在半双工模式，或使用两对线(4线)工作在全双工模式，以同时发送和接收数据。半双工多点配置时可支持最多32个驱动器和多达32个接收器。市场上已经出现具有1/4单位负载甚至1/8单位负载接收器输入阻抗的新器件，例如MAX13448E，允许一条总线上挂接128至256个接收器。拥有这种增强的多点功能后，用户可构建大型RS-485串行设备网络。

接收器输入检测灵敏度为±200mV，意味着接收器只有检测到高于+200mV和低于-200mV的信号电平才识别为1或0位。在±200mV范围之内的噪声被有效屏蔽。差分信号有效消除共模噪声。最小接收器输入阻抗为12kΩ，驱动器输出电压最小值±1.5V、最大值±5V。工业应用中使用的DC - DC转换器包括高输入电压和隔离电源转换器。许多应用采用24V或48V DC分布式供电。总线电源降压转换至12V或5V后，再采用负载点转换器提供必要的供电。用于远端传感器和执行器通信的网络还需要保护措施，以防止瞬态、EMI以及地电位差的影响。

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