深爱半导体:扎根技术开拓进取

发布时间:2021-03-9 阅读量:838 来源: 我爱方案网 作者:

2021年4月9日至11日,第九届中国电子信息博览会携手第97届中国电子展(CITE2021)在深圳会展中心举办。届时,1500余家知名企业参展,50余场专业论坛同期举办,超过100,000名专业观众现场参观。毫无疑问,CITE2021会是一场科技交流的绝佳盛会。


深圳深爱半导体股份有限公司成立于1988年2月,现有一条5英寸双极功率晶体管芯片生产线,一条FRD&肖特基二极管芯片生产线,一条5英寸MOSFET芯片生产线,一条6英寸MOSFET生产线。深爱目前是深圳唯一一家具有前、后工序生产线的功率半导体器件制造企业,主导产品如双极功率晶体管、功率MOSFET、功率二极管、LED驱动IC、电源管理IC,等在业内享有较高声誉并已批量进入国际市场。


深爱半导体专注于功率半导体器件,主要经营 IGBT,碳化硅二极管,氮化镓MOS、高低压MOS,COOLMOS,BJT,LED驱动IC,ACDC充电器IC。产品主要面向UPS、变频器、适配器、快充电源、PC电源、小家电及LED照明领域。IGBT是深爱的重点研发产品,主要应用于电磁加热和变频领域,目前深爱重点关注氮化镓及IGBT功率器件,进工业及车规级产品,预计2021年优先推动氮化镓和IGBT器件量产。本次展会中,对高压MOSFET产品-Planar MOS,高压MOSFET产品-Super junction,肖特基二极管(SBD),LED驱动IC等芯片产品。


高压MOSFET产品-Planar MOS

公司针对不同需求有高性价比、高可靠性、高速三大系列高压MOSFET产品,反压覆盖200-900V,电流覆盖0.5-24A。产品广泛用于消费电子、家电、计算机领域的电源系统和LED照明领域。

 

image.png

应用领域


高压MOSFET产品-Super junction

公司针对不同需求有高性价比、高可靠性、高速两大系列高压Super junction MOSFET产品,反压覆盖500-800V,电流覆盖2-20A。

 

image.png

应用领域

中低压MOSFET产品

公司中低压MOS,反压覆盖20-200V,导通电阻2-1300mΩ。产品广泛用于消费电子、家电、计算机领域的电源系统中的同步整流线路。

 

image.png

应用领域

大功率双极晶体管

公司拥有MJE/BUL/BLD 系列功率晶体管广泛用于充电器、电子镇流器、电源、节能灯领域等。

 

image.png

应用领域

肖特基二极管(SBD)

公司肖特基二极管(Planar SBD)电压覆盖20-200V,电流覆盖1-30A,结温覆盖125-175℃,广泛用于各类电源系统和太阳能领域。

 

image.png

应用领域


LED驱动IC

公司拥有非隔离、隔离、高PF非隔离、高PF隔离、调光、调色温、去频闪、DC-DC、线性九大系列108款LED驱动IC,广泛用于各式LED照明,现已成为LED照明领域主流供应商。

 

image.png

应用领域

IGBT产品

公司1200V/7-25A NPT型IGBT。主要应用于电磁加热和变频领域;

 

image.png

应用领域


PD (Photo  Diode)产品

用途:高速光的检测、光通信、光纤、遥控、光电三极管、写字笔、传真、照度计、彩色传感器、光电三极管、线性图像传感器、分光光度计、照相机曝光计。  


FRD产品

公司FRD电压覆盖200-1200V,电流覆盖6-60A,广泛用于UPS电源和PFC电路,电焊机等领域。


与众多同行相比,深爱有较完备的管理体系和技术实力,先后通过了ISO9001、ISO14001、QC080000、SO50001等多个体系认证,是深圳市市级“企业技术中心”单位、国家级“高新技术企业”、“国家高新技术产业化示范工程单位”,2019被授予“广东省功率半导体工程技术研究中心“称号,设有功率半导体器件工程实验室。公司不仅有完善的半导体芯片工艺生产及封装线,扎根半导体行业30多年,还拥有成熟的设计及生产体系。针对目前消费市场及工业需求,深爱做出了长远的计划安排,未来将着重于氮化镓及IGBT产品的系列开发,逐渐完善产品线,为国产半导体取代进口器件做技术储备。


来源:中国电子信息博览会

相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地