UnitedSiC推出新版电源设计工具 增强优化SiC FET设计解决方案

2021年8月10日，全球领先碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，已推出FET-Jet CalculatorTM升级版，新版本(第二版)显着简化了SiC FET和肖特基二极体选择过程以及所有功率相关结果分析。该简单易用、免注册线上工具于3月首次推出，极大方便了设计人员在不同电源应用和26种独特拓扑结构中进行选择和性能比较。仰仗更多可用拓扑架构，FET-Jet CalculatorTM现在可支援更广泛功率应用，无论是首次使用SiC元件的工程师，还是正在为自己的设计寻求最适合和最佳SiC元件的经验丰富设计师，都可以方便使用UnitedSiC FET元件。

新版本FET-Jet CalculatorTM能够协助工程师在AC/DC、DC/DC和DC/DCiso电源设计中确定最佳UnitedSiC元件，同时添加了代表损耗和效率资料的即时横条图示结果，还能够显示最佳闸极驱动器和缓冲器建议。最后，一旦确定了首选SiC解决方案，所有输入/输出设计讯息都能够以pdf格式轻松下载。

新版FET-Jet CalculatorTM与第一版类似，使用者可选择应用功能和拓扑架构，输入设计参数等详细讯息，之后该工具会自动演算开关电流、效率和损耗，并可按传导、导通和关断分类。UnitedSiC所有FET和肖特基二极体都可以从可分类表中选择，其中包括最新第4代750V元件。如果选择不合适，该工具还会发出警告，让工程师能够快速找到理想设计解决方案。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla评论说：“FET-Jet CalculatorTM目标一直是协助使用者尽可能轻松选择正确功率拓扑架构和正确元件。透过这次更新，我们将能够继续消除业内向SiC元件过渡的障碍。新版本有一个直观的使用者介面，能够简单即时地显示最重要的性能资料，这样可以透过快速忽略不合适元件来加快研发速度。”