发布时间:2021-12-8 阅读量:729 来源: 中电网 发布人: 胖哥
设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布,与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作,携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅(poly-SiC)系列衬底。
Soitec 和美尔森在衬底和材料领域有着深厚的积淀。双方将携手开发具有极低电阻率的多晶碳化硅衬底,借助 Soitec 的 SmartSiC™ 技术,协力优化碳化硅电力电子元件。美尔森位于法国热讷维耶(Gennevilliers)的团队与 Soitec 位于法国格勒诺布尔(Grenoble)、贝宁(Bernin)的团队将共同主导该项目的进展。同时,CEA-Leti(法国原子能委员会电子与信息技术实验室)旗下的 Soitec 衬底创新中心也将为该合作提供专业支持,为研究成果的工业化生产护航。
Soitec 首席技术官 Christophe Maleville 表示:“集双方在材料、半导体领域之所长,我们一同为行业带来性能卓越的多晶碳化硅衬底,为碳化硅电力电子芯片代工厂客户带来规格更高的产品。这种多晶碳化硅衬底能够兼容 Soitec 的 SmartSiC™ 技术,并已成为我们的关键技术之一,它的电阻极低,节能效果显著,可极大地优化电动汽车能效。”
美尔森首席执行官 Luc Themelin 表示:“此次合作展现了美尔森在多晶碳化硅领域的技术专长,以及强大的客制化能力——能够开发出兼容 Soitec 技术的产品。相信在双方的共同努力下,我们将为功率半导体行业,尤其是电动汽车市场提供性能及性价比双优的衬底解决方案。”
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在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
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