发布时间：2021-12-27 阅读量：1594 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
CSD885x电源模块采用DualCool?封装，可在封装顶部实现散热，从而将热量从电路板上散开，提供出色的散热性能，并提高在5mm×6mm封装中的功率。根据数据手册规范，功率块具有1.1°C/W的结到底壳体热阻，和2.1°C/W的结到顶壳体的热阻。可优化功率块底壳的PCB或功率块的顶盖的散热片的冷却功能。图6所示为在1kW，36V三相逆变器PCB(36mm×50mm)内使用三个CSD88599Q5DC双冷60V电源模块测试的顶侧公共散热器(27mm×27mm×23mm)的结果，不带任何气流。在测试期间，散热器和功率块顶壳之间使用具有低热阻抗
具有分立MOSFET的典型相位节点轨道长度
显示有效顶侧冷却的电路板的热像
在图中，可看到顶侧冷却的有效性，其中PCB上观察到的最大温度(功率块底壳之下)与散热器温度之间的差异小于11°C。热量传导良好，并通过电源模块的顶部冷却金属焊盘分配到顶侧散热器。
顶侧和底侧FET之间的热量共享
在单相或三相逆变器中，顶侧和底侧MOSFET的损耗可能不同。这些损耗通常取决于脉宽调制拓扑的类型和工作占空比。不同的损耗导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时，可以尝试这些不同的方法来平衡顶侧和底侧FET之间的温度：
为MOSFET使用不同的冷却区域，并为具有更大损耗的MOSFET提供更多的PCB铜面积或散热器。
根据其额定电流，为顶侧和底侧的MOSFET使用不同的器件。例如，可使用具有较小导通状态导通电阻(R DS_ON)的器件，用于承载更多电流的MOSFET。
当MOSFET变热时，这些方法不会提供最佳冷却，这取决于工作占空比，导致PCB面积或MOSFET额定值利用不足。使用功率块MOSFET，其中顶侧和底侧MOSFET处于同一封装中，从而实现顶侧和底侧MOSFET之间的自动热共享，并提供更好的热性能和优化的系统性能。
系统成本低
可通过在设计中使用功率块MOSFET来优化系统成本。如果此博文中所述的所有优势均达成的话，即可降低成本：
一半的解决方案尺寸，大大降低PCB成本。
低寄生效应可实现更可靠的解决方案，其具有更长的寿命且维护少。
降低PCB轨道长度会降低PCB电阻，从而通过较小的散热器降低损耗，提高效率。
卓越的热性能可提高冷却效果。
MOSFET功率块有助于实现更可靠、更小尺寸、高效率和具有成本竞争力的系统解决方案。
推荐阅读：
在任何数字电子系统中，时钟信号都扮演着“心脏起搏器”的角色。
RTC晶振与普通32.768kHz晶振的PCB设计要点基本一致，其核心均在于通过优化布线以降低杂散电容、确保频率精度，并依托合理的布局规划最大限度屏蔽来自板上其他信号源的电磁干扰。
按晶振的功能和实现技术的不同，分为温度补偿晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）、恒温晶振（OCXO）。
为了在性能与功耗之间取得最佳平衡，需要根据具体应用场景，对基准时钟进行相应的分频、倍频或转换处理，从而为各模块提供适宜的时钟信号。此时，分频技术就成为连接晶振基准频率与系统需求的关键，通过数字电路将晶振原始频率按固定比例降低，输出符合要求的低频时钟信号。
RTC芯片是一种专门用于精准计时、掉电续时的专用集成电路，其核心功能是提供精准、稳定的时间信息（包括秒、分、时、日、月、周、年），并能在主电源断电后依靠备用电池继续保持计时，从而确保时间持续不间断。
