发布时间:2022-01-6 阅读量:3071 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
1.增加输出功率以节省充电时间
电桩将由现在主流的60 kW、90 kW发展到将来的150 kW、240 kW,相应地充电桩电源模块将由现在的15 kW、20 kW、30 kW提高到将来的40 kW、50 kW、60 kW,以缩短充满电的时间。
2.提高功率密度以节省空间
这可通过提高开关频率Fsw以减少无源器件,并降低损耗以减少散热器来实现。
3.提高能效以节能
安森美半导体定位于将满载能效从现在的95%提高到超过96%,超越能效法规。
4.提高系统可靠性
这需要延长电解电容器使用寿命和确保在有尘、潮湿、热、寒区域等户外安装的高可靠性。
超级结MOSFET的优势和使用趋势
转向零排放电动汽车等节能减排趋势推动对中高压MOSFET的需求增加。平面MOSFET的导通电阻Rds(on)和损耗较大。且根据击穿电压与面积成正比,要获得更高的击穿电压需要更大面积的掺杂。超级结MOSFET能够显著降低导通电阻Rds(on)和门极电荷Qg。超级结MOSFET由于电荷平衡,在相同的掺杂下,面积是2倍,因此击穿电压也是两倍,且击穿电压与导通电阻近似线性关系,从而显著降低导通损耗和开关损耗。由于超级结MOSFET在快速开关应用中的能效和功率密度高,常用于高端应用。
电动汽车充电桩架构和安森美半导体的第3代超级结MOSFET方案
例如,210 kW 电动汽车充电点由14个15 kW模块组成,每个15 kW的电池充电器模块都是由3相交流380 V输入,经过3相Vienna 功率因数校正(PFC)后,电压升高到800 V直流电压,再经过高压DC-DC输出250 V至750 V直流电压。

电动汽车充电桩架构
其中,3相Vienna PFC可选用安森美半导体的第3代超级结MOSFET (SUPERFET III)的易驱动(EASY Drive)/ 快速(FAST)系列,多级LLC可选用SUPERFET III 快速恢复(FRFET)系列。EASY Drive系列可内部调节门极电阻Rg和寄生电容,有极低的EMI和电压尖峰,适用于硬/软开关。FAST系列有减小的门极电荷Qg和输出电容储存能量Eoss,低开关损耗,高能效,适用于硬开关拓扑。FRFET系列集成一个高度优化的快恢复二极管,具有超低Qrr和Trr,最小化开关损耗并提高系统级可靠性,适用于软/硬开关拓扑。



荐的安森美半导体SUPERFET III方案用于电动汽车充电桩
SUPERFET III FRFET系列具有超低Qrr和Trr
在同等工作条件下对安森美半导体的SUPERFET III FRFET系列和Easy Drive系列进行比较,测得FRFET系列比Easy Drive系列的Qrr和Irr分别降低90%和73%。
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在任何数字电子系统中,时钟信号都扮演着“心脏起搏器”的角色。
RTC晶振与普通32.768kHz晶振的PCB设计要点基本一致,其核心均在于通过优化布线以降低杂散电容、确保频率精度,并依托合理的布局规划最大限度屏蔽来自板上其他信号源的电磁干扰。
按晶振的功能和实现技术的不同,分为温度补偿晶振(TCXO)、压控晶振(VCXO)、恒温晶振(OCXO)。
为了在性能与功耗之间取得最佳平衡,需要根据具体应用场景,对基准时钟进行相应的分频、倍频或转换处理,从而为各模块提供适宜的时钟信号。此时,分频技术就成为连接晶振基准频率与系统需求的关键,通过数字电路将晶振原始频率按固定比例降低,输出符合要求的低频时钟信号。
RTC芯片是一种专门用于精准计时、掉电续时的专用集成电路,其核心功能是提供精准、稳定的时间信息(包括秒、分、时、日、月、周、年),并能在主电源断电后依靠备用电池继续保持计时,从而确保时间持续不间断。