发布时间：2022-01-6 阅读量：1399 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
同类最佳的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT方案。
安森美半导体SUPERFET III FRFET的 F版本在关断时是慢开关，因而有低尖峰Vds和低dv/dt，优势是更好的EMI性能。HF版本在关断时为快速开关，故有更低的开关损耗和更低的Ross，可提供更高的系统能效。
具成本优势的IGBT方案用于电动汽车充电桩
比较超级结方案，IGBT可提供具成本优势的方案用于电动汽车充电桩。安森美半导体提供领先行业的场截止IGBT技术，其最新的第四代场截止(FS4) IGBT具备同类最低的导通损耗、开通损耗、关断损耗、体二极管损耗和更小的电压尖峰。推荐用于电动汽车充电桩的FS4 IGBT和整流器方案如下表所示。
成本优势的IGBT和整流方案用于电动汽车充电桩
SiC和智能功率模块(IPM)
此外，安森美半导体也提供650 V和1200 V SiC二极管、1200 V SiC MOSFET，以及紧凑的IPM以实现更高能效、功率密度和可靠性。
安森美半导体凭借在功率器件和封装技术的专业知识，为电动汽车充电应用提供高能效创新的半导体方案，包括同类最佳的超级结MOSFET、具成本优势的 IGBT 及二极管方案、基于SiC的方案和IPM，有助于实现更高性能、能效和更低损耗，是用于电动汽车充电桩 DC-DC、PFC等电源模块的极佳选择。
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在任何数字电子系统中，时钟信号都扮演着“心脏起搏器”的角色。
RTC晶振与普通32.768kHz晶振的PCB设计要点基本一致，其核心均在于通过优化布线以降低杂散电容、确保频率精度，并依托合理的布局规划最大限度屏蔽来自板上其他信号源的电磁干扰。
按晶振的功能和实现技术的不同，分为温度补偿晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）、恒温晶振（OCXO）。
为了在性能与功耗之间取得最佳平衡，需要根据具体应用场景，对基准时钟进行相应的分频、倍频或转换处理，从而为各模块提供适宜的时钟信号。此时，分频技术就成为连接晶振基准频率与系统需求的关键，通过数字电路将晶振原始频率按固定比例降低，输出符合要求的低频时钟信号。
RTC芯片是一种专门用于精准计时、掉电续时的专用集成电路，其核心功能是提供精准、稳定的时间信息（包括秒、分、时、日、月、周、年），并能在主电源断电后依靠备用电池继续保持计时，从而确保时间持续不间断。
