发布时间：2022-01-25 阅读量：1777 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
通过降低模块电源的驱动频率减少MOSFET的损耗[稍微提一下EMI问题及其解决方案
MOSFET的损耗分析可以看出，开关电源的驱动频率越高，导通损耗、关断损耗和驱动损耗会相应增大，但是高频化可以使得模块电源的变压器磁芯更小，模块的体积变得更小，所以可以通过开关频率去优化开通损耗、关断损耗和驱动损耗，但是高频化却会引起严重的EMI问题。
采用跳频控制方法，在轻负载情况下，通过降低模块电源的开关频率来降低驱动损耗，从而进一步提高轻负载条件下的效率，使得系统在待机工作下，更节能，进一步提高蓄电池供电系统的工作时间，并且还能够降低EMI的辐射问题;
通过降低、来减少MOSFET的损耗
典型的小功率模块电源(小于50W)大多采用的电路拓扑结构为反激形式，典型的控制电路如图3所示;从MOSFET的损耗分析还可以知道：与开 通损耗成正比、与关断损耗成正比;所以可以通过减少 、来减少MOSFET的损耗，通常情况下，可以减小MOSFET的驱动电阻Rg来减少、时间，但是此优化方法却带来严重的EMI问题;以金升阳 URB2405YMD-6WR3产品为例来说明此项问题。
URB2405YMD-6WR3采用10Ω的MOSFET驱动电阻，裸机辐射测试结果如下：
URB2405YMD-6WR3采用0Ω的驱动电阻，裸机辐射测试结果如下：
从两种不同的驱动电阻测试结果来看，虽然都能够通过EN55022的辐射骚扰度的CLASS A等级，但是采用0欧姆的驱动电阻，在水平极化方向测试结果的余量是不足3dB的，该方案设计不能被通过。
通过降低吸收电路损耗来减少损耗
在模块电源的设计过程中，变压器的漏感总是存在的，采用反激拓扑式结构，往往在MOSFET截止过程中，MOSFET的漏极往往存在着很大的电 压尖峰，一般情况下，MOSFET的电压设计余量是足够承受的，为了提高整体的电源效率，一些电源厂家是没有增加吸收电路
(吸收电路如图3标注①RCD吸 收电路和②RC吸收电路)来吸收尖峰电压的。但是，不注意这些吸收电路的设计往往也是导致EMI设计不合格的主要原因。以金升阳URF2405P- 6WR3的吸收电路(采用如图3中的②RC吸收电路)为例：
驱动电阻Rg为27Ω，无RC吸收电路，辐射骚扰度测试结果如下：
驱动电阻为27Ω;吸收电路为电阻R和C 5.1Ω 470pF，辐射骚扰度测试结果如下：
从两种不同的吸收电路方案测试结果来看，不采用吸收电路的方案，是不能通过EN55022辐射骚扰度的CLASS A等级，而采用吸收电路，则可以解决辐射骚扰度实验不通过的问题，通过不同的RC组合方式可进一步降低辐射骚扰。
MOSFET的功耗优化工作实际上是一个系统工程，部分优化方案甚至会影响EMI的特性变化。上述案例中，平衡了电源整体效率与EMI特性，从而进一步优化了电源参数。将电源参数进一步优化，更能兼容客户系统，并发挥真正的电子 系统“心脏”作用，源源不断的输送能量。
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在任何数字电子系统中，时钟信号都扮演着“心脏起搏器”的角色。
RTC晶振与普通32.768kHz晶振的PCB设计要点基本一致，其核心均在于通过优化布线以降低杂散电容、确保频率精度，并依托合理的布局规划最大限度屏蔽来自板上其他信号源的电磁干扰。
按晶振的功能和实现技术的不同，分为温度补偿晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）、恒温晶振（OCXO）。
为了在性能与功耗之间取得最佳平衡，需要根据具体应用场景，对基准时钟进行相应的分频、倍频或转换处理，从而为各模块提供适宜的时钟信号。此时，分频技术就成为连接晶振基准频率与系统需求的关键，通过数字电路将晶振原始频率按固定比例降低，输出符合要求的低频时钟信号。
RTC芯片是一种专门用于精准计时、掉电续时的专用集成电路，其核心功能是提供精准、稳定的时间信息（包括秒、分、时、日、月、周、年），并能在主电源断电后依靠备用电池继续保持计时，从而确保时间持续不间断。
