ReRAM新型存储技术在28nm工艺节点上通过了严苛的测试

日前，新型存储领先企业昕原半导体宣布其基于ReRAM的“昕·山文”安全存储系列产品已实现在工业自动化控制核心部件的商用，标志着ReRAM新型存储技术在28nm工艺节点上通过了严苛的测试，已被工控领域接受，我国ReRAM新型存储产业化再进一步。  

ReRAM是近年来市场上最受期待的新型存储技术，包括台积电，英特尔、三星、UMC、Crossbar、Adesto、富士通等国际厂商均已对该技术进行重点布局。此次昕原半导体“昕·山文”系列产品工控领域成功商用，也标志着我国ReRAM新型存储产业化进程跻身全球领先行列。  

据了解，此次昕原半导体推出的“昕·山文”系列安全存储芯片产品集成有高可靠性、安全存储、密码算法引擎以及ReRAMPUF（Physical Unclonable Function-物理不可克隆函数）的安全特性，并提供丰富的接口和使用模式。  

PUF是信息安全行业前沿的硬件安全技术，主要利用芯片生产制造过程中产生的随机差异来生成唯一的、具备隐藏特性且不可克隆的数字序列，就如同芯片出生时即具备了唯一‘指纹’身份信息，作为每颗芯片独一无二的唯一主动标识（ID）和根密钥（Root Key）。  

“昕·山文”系列安全存储芯片，充分利用了昕原ReRAM PUF的独特技术，不但实现了抗物理攻击的强安全特性、有效防御黑客通过物联网等互联手段对关键信息基础设施造成大面积伤害的潜在风险，还有效降低诸如密钥注入等相关的安全供应链管理的成本。结合硬件实现的抗物理攻击密码算法，为工业、新能源和车联网等“万物智联”的高价值设备，有效实现强身份认证、版权保护和高价值数据资产的安全存储。  

“昕·山文”系列安全存储芯片采用小尺寸封装，集成了国际通用密码算法和国密算法，支持SPI通用芯片接口和/或单线通讯接口，并提供丰富的IO扩展能力。  

浙江禾川科技股份有限公司（禾川科技）副总裁鄢鹏飞表示，工业自动化产品对于程序及数据存储的可靠性和安全性要求非常苛刻，昕原半导体的“昕·山文”系列芯片在满足信息安全要求的同时实现了对核心数据的可靠存储，不同于传统的密码算法类芯片，其独具特色的ReRAMPUF技术及安全解决方案有效实现了对核心知识产权的保护、以及对工控核心部件的精确识别与管控。  

据昕原半导体CTO仇圣棻博士介绍，昕原基于28nm工艺的ReRAM产品的良率已经超过了93%；“昕·山文”系列安全存储芯片，采用高可靠性设计，已通过JESD22 （JEDEC：固态电子器件可靠性评估验证）、JESD47 （JEDEC：集成电路的压力测试验证）等可靠性标准的验证，具有较强的防静电能力（实测HBM=5500V，CDM=500V）、较高的数据保持性（Data Retention>10年）和数据存储耐高温性（可达150℃）。  

今年初，由昕原半导体主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试后道生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线。在此基础上，实现ReRAM技术和工艺持续突破的同时，也使得 ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。  

随着昕原半导体28nm制程ReRAM产品进入工控领域，不仅验证了ReRAM技术在2Xnm工艺节点上产品级的性能和良率，更体现了ReRAM技术的可靠性、安全性和稳定性，为后续在存内计算、存内搜索、智能汽车、数据中心等更多领域的应用奠定基础。而随着ReRAM产业化进程的加快，也将极大带动我国新型存储行业发展，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。