发布时间:2022-08-4 阅读量:957 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
支持高速DDR3L/DDR4内存接口和8线SPI内存接口的版本可实现更简化的设计
2022 年 8 月 4 日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出RZ/A3UL微处理器(MPU)产品群——为需要高吞吐量和实时能力的应用实现高清人机界面(HMI)及快速启动功能。全新RZ/A3UL让用户能够充分发挥实时操作系统(RTOS)的潜力,同时充分利用最大工作频率为1GHz的64位Arm® Cortex®-A55 CPU内核所带来的性能提升。使用RTOS可以让系统在引导后不到一秒的时间内即刻启动。这一功能非常适合需要快速响应的系统,如带有液晶显示器或控制面板的工业设备、家用电器和办公自动化设备,以及音频设备与POS终端。
全新RZ/A3UL MPU集成了一个8线SPI内存接口(注),有助于更简单、更紧凑的电路板设计。此外,新器件还包括支持DDR3L/DDR4内存接口的版本,以获得和高速DRAM的连接。例如,DDR3L/DDR4内存接口实现的数据传输速度比8线SPI内存接口快约10倍,最大限度地提升了高清(1280 x 720)级显示器,以及基于摄像头输入或各类传感器的交互式和更复杂HMI所需的性能。
RZ/A3UL支持业界两款卓越的RTOS:FreeRTOS和Azure RTOS。瑞萨作为RZ产品家族Azure RTOS的授权供应商,其用户可以简单地从GitHub下载高性能Azure RTOS并即刻开始使用。此外,瑞萨还提供一个包含FreeRTOS和HAL(硬件抽象层)驱动程序的灵活配置软件包,供开发人员在开发自己的应用程序时作为参考。一套广泛的中间件也可用于两种操作系统,进一步缩减开发时间和成本。
瑞萨电子企业基础设施业务部副总裁加藤茂树表示:“许多使用RTOS的客户告诉我们,他们希望保留出色的实时能力和快速启动等功能,但也希望获得更高的分辨率和更卓越的性能。我相信,RZ/A3UL不但可以实现其所需的更强性能,同时也能为他们带来MCU所提供的灵活性和易用性。”
微软副总裁兼Azure IoT、Light Edge、AI总经理Moe Tanabian则表示:“如同RZ/A3UL这样的高性能MPU与Azure RTOS的实时功能相结合,将直接提高我们客户器件的性能。”
RZ/A3UL的外围功能和封装引脚分配,与采用Cortex-A55内核并面向基于Linux HMI应用程序的RZ/G2UL,以及基于RISC-V的RZ/Five产品相兼容。这意味着工程师仅需更换芯片,即可利用相同的电路板设计开发全新产品。器件间的兼容性也使工程师能够轻松地从运行RTOS的产品过渡到基于Linux的产品,从而推动多个产品型号的高效开发。
基于RZ/A3UL的成功产品组合
瑞萨设计了一款HMI解决方案,即“基于RTOS的RZ/A3UL HMI SMARC SOM”。采用了RZ/A3UL和瑞萨及其合作伙伴产品组合中的其它兼容器件。这一成功产品组合作为符合行业标准SMARC 2.1外形尺寸的模块,集成了DA9062电源管理IC、5P35023可编程时钟发生器、AT25QL128A闪存IC,以及实现系统复位等外围功能的SLG46538 GreenPAK等器件。可用于评估RZ/A3UL,也可作为参考设计以帮助缩短开发时间。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过300款“成功产品组合”。
供货信息
RZ/A3UL MPU和开发工具现已上市。更多信息,请访问:https://www.renesas.com/rza3ul。
(注)RZ/A3UL支持Macronix Serial Multi I/O(MXSMIO®)Octa Peripheral Interface(OPI)作为其8线SPI内存接口。
关于瑞萨电子
瑞萨电子,科技让生活更轻松,致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商,瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识,提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市,赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。