重庆万国成功造出西南地区首颗独立开发、设计的 IGBT 元件

据重庆日报报道，重庆万国半导体科技有限公司 (以下简称“重庆万国”) 已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）     

据悉，重庆万国在今年年初启动 IGBT 元件项目研发，该元件具有饱和压降低，开关损耗小，电流短路能力强等特点，可用于消费电器与工业电器的动能转换。  

重庆万国市场资深经理李仁果介绍，在过去 12 个月的出货量中，重庆万国做到每 10 亿颗芯片中，不良率只有 3 颗。  

目前，重庆万国已启动上市计划，并已引入京东方等行业头部企业或专业投资机构作为战略投资人。下一步，重庆万国将进一步加快半导体芯片及半导体芯片封装的设计、制造、销售，不断推出创新产品。  

百科知识  

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。  

IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。  

IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。  

IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

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