英特尔在制造量子芯片方面已经超越了一个关键的里程碑

英特尔在为高性能计算机的新时代制造量子芯片方面已经超越了一个关键的里程碑。在英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的戈登·摩尔晶体管研发机构，实验室和组件研究部门宣称已经为硅自旋量子比特设备的EUV生产，或极紫外光刻技术建立了最高的成果记录，这意味着英特尔离量子芯片的生产又近了一步。  

该公司的工程师和研究人员生产的量子芯片具有非凡的"均匀性"，在整个300毫米的硅晶圆上产生了95%的有效产量。

量子硬件总监James Clarke讨论了他的公司在利用现有晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面的进展。英特尔利用其半导体制造能力对该公司在该行业的发展至关重要。预计该公司的硅芯片精制实例将被应用于英特尔的先进量子计算。  

"......实现的高产量和均匀性表明，在英特尔既定的晶体管工艺节点上制造量子芯片......"

 - 詹姆斯-克拉克，英特尔量子硬件总监

在最新的博客文章中提及称第二代硅自旋测试芯片的测试和生产创造了关于该公司在量子芯片制造方面的进展。英特尔的新量子设备是使用Cryoprober进行采样的，在1.7开尔文，或-271.45°C的浅层温度下运行，以保持量子比特的弹性，也允许它们在这种条件下用于计算和利用。  

英特尔将继续开展"室温量子计算机"的工作，这是英特尔在新兴发展领域的又一个挑战。  

Cryoprober验证了该公司百分之九十五的量子比特封装芯片被正确处理，这对英特尔来说是非常好的消息，因为大多数量子芯片生产工作都是单一地制造设备，其EUV工艺现在有资格在一块晶圆上制造许多量子芯片，产生相当高的成果。  

随着该公司第二代硅自旋测试芯片的完成，英特尔将利用统计过程控制来进行优化，收集已经达到的进展来瞄准下一代量子芯片。该公司和其他公司面临的挑战是有能力制造充满数百万个量子比特的量子芯片，这在整个行业中目前仍处于早期阶段。

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