NAND闪存的市场条件“相当艰难”

2022年10月26日，铠侠四日市工厂（三重县四日市市）举行了第7制造大楼（Y7大楼）竣工仪式。在Y7大楼，我们计划生产3D NAND闪存“BiCS FLASH”的第6代（162层）及下一代产品，预计第6代BiCS FLASH将于2023年初出货。

当天，在竣工仪式的同时还举行了新闻发布会，铠侠社长早坂伸夫和铠侠常务执行董事四日市工厂长松下智治回答了媒体的提问。

NAND闪存的市场条件“相当艰难”    

问：我想听听您对 NAND 闪存市场的看法。    

早坂伸夫先生：市场状况相当严峻，很难预测目前的情况会持续多久。但是，由于内存是不可或缺的半导体，我们不认为未来严峻的市场状况会持续下去。    

问：你们宣布将从2022年10月起调整生产，将晶圆投入量减少约30%。请告诉我们背景。    

早坂先生：决定调整生产的原因是需求相当严峻。具体来说，个人电脑、智能手机、数据中心等的整体需求正在放缓。预计这种生产调整将暂时持续，现阶段很难预测何时恢复生产。    

问：未来市场环境严峻是否会影响Y7楼（二期）的投资？    

早坂先生：我们公司传统上在监控市场状况的同时进行投资。这一次也有可能会根据情况进行调整，但目前关于发布没有任何变化。然而，Y7大楼二期的投资时间尚未确定。    

“我们不会放松投资”    

问：新工厂的建设得到了政府的支持。您对政府的半导体支持和政策有何看法？    

早坂先生：本来，我们公司请求政府的支持。没有竞争力，半导体产业将继续消亡。有一个背景是，它呼吁政府支持是维持竞争力所必需的。

但在这种情况下，流程发生了显着变化，例如自民党内部成立了“半导体战略推进国会议员联盟”。政府目前正在制定各种措施来支持半导体。有了这种支持，我们将加强我们的竞争力，作为世界上强大的日本半导体制造商尽最大努力。    

对于半导体行业来说，在未来继续研发是极其重要的。中长期我们不会放松对新产品开发的投入。    

问：2022年10月，美国宣布针对中过的新半导体出口管制，这将入和影响中国的闪存制造商。    

早坂先生：我们还不了解出口限制内容，目前也正在研究中。长江存储是我们公司的竞争对手，毫无疑问，但目前的情况是，我们将不得不拭目以待，新法规对我们的影响如何。    

关于EUV的导入    

问：据说Y7大楼是利用AI（人工智能）的高度自动化的智能工厂，但是使用了什么样的AI技术呢？是否有任何工艺挑战，例如光刻？    

早坂先生：很难透露工厂使用的AI技术，但我想说的是，我们正在制造具有AI的产品，并且每天都在发展。    

至于光刻，我们正在继续研究和开发作为下一代技术的纳米压印 (NIL) 技术。但是，它还没有达到可以应用于大规模量产的地步。一些制造商已经推出了 EUV（极紫外）光刻技术，但铠侠目前没有这样做的计划。    

问：目前，四日市工厂和北上工厂（岩手县北上市市）生产 96 层和 112 层 3D NAND 闪存，但在 Y7 大楼开始生产 162 层 NAND 闪存后，产品结构发生了变化。会发生什么    

早坂先生：我不能给你详细的产品组合，但我们会在监测市场情况的同时做出调整。    

问：北上工厂目前运营的Y7大楼和K1大楼的主要区别是什么？    

松下智治先生：Y7 楼比 K1 楼更先进的有两点：可以安装更多的设备和装置，并且比 K1 楼更节能。    

问：美光科技已经开始量产232层NAND闪存，三星电子也开始量产176层NAND闪存。请告诉我们铠侠的路线图。    

松下智治：作为 NAND 闪存的通用技术路线图，不仅对我们公司，而且对于未来几代，我们将继续增加层数。但是，每家公司的策略在如何增加层数上有所不同。我们的目标不仅仅是增加层数。客户对价格有强烈的要求，为了满足这些要求，需要决定下一代3D NAND闪存技术的方向，包括层数，同时还要考虑价格之外的性能和速度。

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