MCU中有多少种存储器？

MCU 中内部存储器的数量取决于存储器的分类方式。主要有两种存储器：随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。但是，根据内存性能不同，RAM 和 ROM 有不同的类型。这些不同类型的存储器可用于各种功能，例如高速缓存、主存储器、程序存储器等。另一方面，存在内存的虚拟与物理定义的问题。

RAM 的两种主要类型是静态随机存取存储器 (SRAM) 和动态随机存取存储器 (DRAM)。两者都需要施加电压来保存它们的信息。DRAM 很简单，基本实现只需要一个晶体管和一个电容器。DRAM是所有内存技术中使用最广泛的一种。当集成到 MCU 中时，它被称为嵌入式 DRAM (eDRAM)。与用作外部存储器的等效独立 DRAM 芯片相比，eDRAM 的每比特成本更高。尽管如此，将 eDRAM 放置在与处理器相同的芯片上的性能优势仍超过了高性能应用中的成本劣势。

SRAM 比 eDRAM 更复杂，通常由六个晶体管实现。SRAM 比 DRAM 更快，因此非常适合集成到 MCU 中。它是最常用的内部 MCU 内存技术之一。SRAM 通常用作高速缓存和处理器寄存器。

MCU 中的非易失性存储器包括闪存和电可擦可编程 ROM (EEPROM)。闪存是 EEPROM 的一种形式。它们之间的主要区别在于它们的管理方式；Flash 在块级别进行管理（写入或擦除），而 EEPROM 可以在字节级别进行管理。闪存可用于 NAND 和 NOR 架构。NAND 闪存以块为单位处理数据，读取速度快于写入速度。它可以快速传输多页数据。它提供比 NOR 更高的单位面积容量，用于高密度存储。NOR Flash支持更细粒度的操作，并提供高速随机访问。NOR Flash可以读写特定的数据。

Fujio Masuoka 在 1980 年代在东芝工作时发明了闪存。他的同事 Shoji Ariizumi 使用 Flash 一词来描述新技术，因为擦除所有数据让他想起了相机的 Flash。易失性和非易失性存储器技术可以根据几个性能标准进行比较：

速度：易失性内存通常更快

成本：易失性内存成本更低

寿命：易失性存储器的寿命更长。非易失性存储器由于其重写能力而具有有限的寿命。

能耗：DRAM等易失性存储器需要重复数据刷新，这会消耗额外的功率。非易失性存储器通常消耗较少的功率。