三星西安工厂将升级236层NAND技术

10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。

报道称，在取得豁免后，三星高层已决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。

据业内人士10月15日透露，三星高管已批准在其西安工厂升级NAND工艺，并已开始大规模扩张。三星已经开始为这一过渡购买最新的半导体设备，新机器预计将于今年年底交付。

资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

三星决定升级其西安工厂主要有两个原因。第一个原因是在NAND闪存市场状况没有复苏迹象的环境下，保持其在NAND市场的全球领先地位。去年年底开始的IT市场低迷和半导体市场疲软影响了三星的NAND业务，导致未售出的库存增加，随后亏损扩大。

另一个原因是美国暂时搁置了对三星和SK海力士的出口限制规定。去年10月，美国政府要求授权将美国制造的设备出售给中国当地的芯片生产基地，用于制造128层以上、14纳米或更小的NAND闪存和18 nm或更小的DRAM。随着美国政府宣布对包括三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix）在内的跨国半导体公司“暂时”暂停一年的出口管制。

然而，10月13日，美国商务部工业与安全局（BIS）正式宣布，三星电子和SK海力士的中国工厂将不受美国针对中国的半导体设备规定的约束。随着美国政府宣布这一豁免规定，三星和SK的本地设备获准进入，运营NAND工厂的三星松了一口气。因此，三星电子放心开展其位于西安电子厂的工艺升级动作。