最高涨幅66%！存储芯片大涨价

近日，据媒体报道，三星和SK海力士已开启涨价模式，将调涨DRAM和NAND Flash合约价，最高涨幅可达66%。

其中，三星向客户公布2023年第四季度存储产品官价：

Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至11-25%；其中LP4X主流配置涨幅11%左右，新一代旗舰机主流配置LP5X涨幅最高。

由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品来的低，因此成为本次的领涨项目。

NAND Flash方面，UFS第四季合约价涨幅约2%左右。

eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。

相关机构表示，季涨幅扩大归咎几个原因：

1、供应方面，在三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。

2、需求部分，2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate60系列等也刺激其它中国智能手机品牌扩大生产目标，短时间内涌入的需求也成为推动第四季的合约价涨势的原因之一。

据Quiksol市场报告，目前DDR3部分2GB市场价格在1-1.03美元区间波动，4GB市场价格在1.08-1.10美元区间波动，而DDR4部分涨幅明显，美光DDR4 8GB市场价格已经来到1.90美元左右，有可能还会继续涨价。

Trend Force集邦咨询指出，DDR5有望2024下半年超过DDR4成为主流。随着DDR5进入高速增长期，预计高价位的DDR5产品将面临供应短缺问题，这一波将带动DRAM市场涨幅。