Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。

这三款表面贴装型器件(SMD)可支持平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用于高性能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。目前，氮化镓在这一市场领域的全球潜在市场规模(TAM)达25亿美元。值得关注的是，该新型功率器件是目前快速发展的人工智能(AI)系统最佳解决方案，AI系统依赖于GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。

目前，各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓器件，为其高性能系统提供电力支持，应用领域包括数据中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装器件也能够用于电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器应用，因为核心SuperGaN芯片已通过汽车行业(AEC-Q101)标准认证。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封装类型，给予了客户最广泛的封装选择，以满足客户的不同设计需求。与所有Transphorm产品一样，该TOLL封装器件利用了Transphorm常闭型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性优势。如需详细了解SuperGaN与 e-mode氮化镓的对比分析，请下载Transphorm公司最新发布的白皮书『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』，该技术白皮书的结论与Transphorm今年初发布的一份对比报告相一致——该比较显示，在一款市售280W电竞笔记本电脑充电器中，使用72 毫欧 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫欧e-mode器件，充电器的性能会更好。

SuperGaN 器件凭借无比卓越的性能引领市场：

l 可靠性：FIT< 0.03

l 栅极安全裕度：± 20 V

l 抗噪性：4 V

l 电阻温度系数（TCR）比 e-mode 器件低 20%

l 驱动方式更灵活：利用硅基控制器/驱动器中现成的标准驱动和保护电路

器件规格

该650V SuperGaN TOLL 封装器件性能稳健，且已获得JEDEC资格认证。由于常闭型d-mode平台是将GaN HEMT与低电压硅管配对，因此，SuperGaN FET 可以简单的选择使用常用市售栅极驱动，应用于各种软/硬开关的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓扑中，提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总成本。

供货情况和设计开发资源

SuperGaN TOLL 封装器件目前可提供样品。如需申请样品, 请在公司网页提交申请

基于该TOLL封装器件的系统开发和优化，请参考如下应用指南：

AN0009：Transphorm 氮化镓 FET 的推荐外部周边电路

AN0003：针对氮化镓功率开关的印刷电路板布局和量测

AN0014：适用于中低功率氮化镓 FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器

 关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。