国产存储芯片厂商抬头，在美起诉镁光专利侵权

近日，中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼，要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项 3D NAND 技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称，美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的 8 项专利，这些专利涉及到 3D NAND 存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等方面。

长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。

长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

资料显示，长江存储科成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。

2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。

2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。

作为国内最大的3D NAND制造厂商，长江存储经过多年的发展，目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。

长江存储的核心技术叫做Xtacking，该技术通过将存储单元和逻辑电路在两片晶圆上分别加工，并各自选择最先进的制造工艺，用数百万根金属通道把两者“接通”，这种工艺架构可以将芯片面积减少约25%，研发周期缩短三个月，生产周期缩短20%，闪存的最高存取速度更将大幅提升至DDR4内存的水平，更重要的是堆叠层数甚至达到1000层，具有更好的性价比和创新优势。

另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。