发布时间：2023-11-30 阅读量：1595 来源: 综合网络 发布人: bebop
11月30日消息，国内知名DARM厂商长鑫存储宣布，公司已推出LPDDR5系列DRAM产品，成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。目前长鑫存储的12GB LPDDR5芯片已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。
LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工作电压更低和支持多种低功耗运行状态。因此，LPDDR产品主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等便携式消费电子。而LPDDR5则是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。
资料显示，与上一代LPDDR4相比，长鑫LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。从产品应用和市场空间上看，LPDDR5芯片能够为其搭载的移动端电子设备带来更快的速度体验和更低的功耗消耗。
长鑫存储表示，其LPDDR5产品面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。
据了解，长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。公司作为一体化存储器制造公司，专注DRAM芯片设计、研发、生产和销售，已推出多款DRA商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
在智能驾驶飞速发展的时代，5.9GHz频段的C-V2X（蜂窝车联网）和5.8GHz频段的DSRC（专用短程通信）已成为车辆与环境交互的关键神经。然而，GHz频段内日趋复杂的电磁环境却为通信灵敏度与可靠性带来严峻挑战。传统噪声抑制元件在应对高频宽范围干扰时力不从心，高性能宽频噪声解决方案成为行业急需突破的技术瓶颈。村田制作所（Murata）以其深厚的材料技术积淀和创新设计，适时推出了革命性的片状铁氧体磁珠——BLM15VM系列，直击高频车联网通信的核心痛点。
据彭博社6月20日报道，微软计划于今年7月启动大规模组织结构调整，预计裁员数千人，主要集中在全球销售与客户服务部门。此举引发行业对科技巨头战略重心迁移的高度关注，尤其引人瞩目的是其裁员节省的资金流向——微软官方确认将在新财年向人工智能基础设施领域投入约800亿美元。
在AI服务器爆发式增长、新能源系统复杂度飙升的产业背景下，传统控制芯片正面临三重挑战：碳化硅/氮化镓器件的高频开关控制需求、功能安全标准升级、以及机器学习边缘部署的实时性要求。Microchip最新推出的dsPIC33AK512MPS512与dsPIC33AK512MC510数字信号控制器（DSC），通过78ps PWM分辨率与40Msps ADC采样率的核心突破，为高精度实时控制树立了新基准。
根据权威机构IDC最新发布的《全球智能家居设备季度追踪报告》，2025年第一季度全球智能扫地机器人市场迎来强劲开局，总交付量达到509.6万台，较去年同期增长11.9%，连续第二个季度实现超过20%的增长率。市场活力显著提升，展现出强劲复苏势头。
随着ADAS渗透率突破50%（据Yole 2023数据），车载传感器供电与数据传输架构面临革命性变革。传统双线分立设计（电源线+信号线）导致线束占整车重量超3%，且故障率居高不下。TDK株式会社推出的ADL8030VA系列PoC专用电感器，通过单元件高集成方案重构滤波电路，为智能驾驶系统提供空间与可靠性双重优化路径。
