Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计

发布时间:2023-12-26 阅读量:1568 来源: 我爱方案网 作者: Transphorm

2023 年 12月 21 日-全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码TGAN)宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压(CC/CV)电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件,以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实现量产。

 

据悉,印度和中国的两轮和三轮电动车年销量分别超过 1,400 万辆和 4,500 万辆。另外,这两款参考设计还可用于各种其它应用,包括快充、LED可调光驱动器、游戏机和高性能笔记本电脑。

 微信图片_20231226090723.jpg

 

Transphorm 全球销售和FAE副总裁 Tushar Dhayagude 表示:“氮化镓应用正在电动车市场迅速普及。这主要是因为相比碳化硅或硅等替代选择方案,氮化镓技术能够以具成本效益的高良率制造工艺实现高功率密度。特别值得一提的是,Transphorm的 SuperGaN 器件得到了两轮和三轮车制造商的广泛关注和认可,因为与硅解决方案相比,我们的方案除了具备上述优点之外,还拥有系统和器件级的成本优势。我们很高兴能够基于客户持续的设计要求推出相应参考设计,帮助内置或外置充电器制造商加速推出基于氮化镓的系统,提升新一代车辆的性能和可用性。”

 

什么是 CC/CV?

恒流/恒压(CC/CV)锂离子电池充电方式,是在充电初始阶段采用恒流充电,在充电后期当电池达到设定的充电量时切换到恒压充电,以防止电池过充。

 

开放架构 CC/CV AC-DC 电池充电器

新发布的300 W 和 600 W 参考设计将 SuperGaN FET 与控制器配对,采用流行的功率因数校正 (PFC) 和谐振 LLC 拓扑,其中 LLC 特别针对宽电池电量范围(从空电到满电)的设计。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平台,电源系统开发人员能够最大限度发挥PFC+LLC的性能潜力,以最具竞争力的成本实现这些拓扑所能达到的最高效率。

 

这两款参考设计采用纯模拟控制器,而不是需要固件的数字控制器。这种配置具有几个优点,例如更易于设计、产品开发简化,原因如下:

 

· 开发资源要求降低

· 开发时间缩短

· 无需进行可能很复杂的固件编程/维护

 

注:300W 参考设计包括一个额外的 PWM 输入端口,用于获取低于额定输出值的输出电流,从而进一步提高了应对各类电池的灵活性。

 

主要技术规格如下:

 

Reference Design

参考设计

TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD

TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD

VAC

90 264

90 264

Wattage

功率(W

300

600

SuperGaN FET(s)

TP65H070G4PS x 3

TP65H070G4PS x 1

TP65H150G4PS x 2

Driver(s)

驱动器

NCP1654 PFC(安森美)

NCP1399 LLC (安森美)

HR1211 (MPS)

Peak Efficiency

峰值效率

95% @ 264 Vac

94.4% @ 264 Vac

 

Switching Frequency

开关频率

高达 150 kHz

高达 120 kHz

 

这两款参考设计采用的是Transphorm 的 SuperGaN FET器件,SuperGaN的独特优势包括:

 

· 业界领先的稳健性:+/- 20 V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。

· 更优的可设计性:减少器件周边所需电路。

· 更易于驱动:SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驱动器。


关于Transphorm


Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm总部位于美国加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。


SuperGaN标识是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标是其各自所有者的财产。


220x90
相关资讯
英特尔拟追加投资SambaNova 1500万美元!

英特尔计划向人工智能芯片初创公司SambaNova追加投资1500万美元,该公司董事会主席由英特尔CEO陈立武担任。

联发科、高通同步削减4nm芯片投片,DDIC、PMIC等配套芯片同步受抑制!

据4月2日消息,台媒《工商时报》此前报道称联发科已开始下调在晶圆代工厂的4nm工艺投片量;而《电子时报》消息进一步指出,高通也已跟进采取类似减产措施。

SEMI报告:全球300mm晶圆厂设备支出2027年将突破至1500亿美元!

根据SEMI最新发布的《300mm晶圆厂展望》报告,预计全球300mm晶圆厂设备支出将在2026年实现18%的增长,达到1330亿美元,并将在2027年进一步增长14%,至1510亿美元。

全新AI芯片上市,可支持的并发用户数达 NVIDIA RTX PRO 6000 的 2.2 至 7.4 倍!

FuriosaAI 的第二代 AI 推理芯片 RNGD 初始配备 48GB HBM3 内存,近期将升级至 72GB HBM3E

存储价格飙升挤压成本!联发科下修4nm投片量

受全球智能手机需求走弱影响,供应链已转为防守状态。据供应链相关消息,由于手机市场前景不明朗,手机芯片(SoC)厂商已开始下调投片规模,其中联发科已在晶圆代工厂减少4nm制程芯片的投片量,反映出手机产业链景气度明显降温。