发布时间：2024-01-16 阅读量：2177 来源: 综合网络 发布人: bebop
1月16日消息，有媒体报道称，美国总投资超过人民币10亿元的GaN企业NexGen Power Systems已于近日破产倒闭，旗下总投资超过1亿美元的晶圆厂也已关闭。据披露，倒闭的原因是难以获得风险融资，公司运营已经举步维艰。
资料显示，NexGen成立于2017年，总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉，是一家专注开发垂直GaN on GaN器件的企业，在美国纽约州拥有66000 平方英尺GaN FAB1工厂，拥有20000平方英尺洁净室，用于 GaN 外延生长、材料表征、器件设计和加工等。
NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。
2023年2月，NexGen宣布了关于其700V和1200V半导体工程样品可用性的更新，并计划延期到2023年第三季度开始全面生产。NexGen表示，他们的第一代1200V、1欧姆垂直GaN e模式Fin-jFET已成功演示了在1.4kV额定电压下超过1MHz的开关性能。
2023年6月，NexGen又宣布与GM通用汽车的合作项目获得美国能源部（DoE）的资助，所获资金计划用于垂直氮化镓半导体的电动驱动系统，而与通用合作，有望推进垂直GaN器件的上车进程。
事实上，近段时间以来，GaN行业在资本市场的推进并不如意，有多家企业表示出现融资难的情况；同时，SiC技术的推进，也让一级市场对GaN领域的投资产生了更多顾虑。
不只是GaN行业，目前整个功率半导体市场并未出现明显起色，在行业持续内卷的情况下，产品价格持续下跌，原材料和人工成本上涨导致各大厂商业绩下滑，部分小型厂商陷入亏损，即使部分厂商已经宣布涨价，短期内功率半导体行业景气度也难有反转。
在智能驾驶飞速发展的时代，5.9GHz频段的C-V2X（蜂窝车联网）和5.8GHz频段的DSRC（专用短程通信）已成为车辆与环境交互的关键神经。然而，GHz频段内日趋复杂的电磁环境却为通信灵敏度与可靠性带来严峻挑战。传统噪声抑制元件在应对高频宽范围干扰时力不从心，高性能宽频噪声解决方案成为行业急需突破的技术瓶颈。村田制作所（Murata）以其深厚的材料技术积淀和创新设计，适时推出了革命性的片状铁氧体磁珠——BLM15VM系列，直击高频车联网通信的核心痛点。
据彭博社6月20日报道，微软计划于今年7月启动大规模组织结构调整，预计裁员数千人，主要集中在全球销售与客户服务部门。此举引发行业对科技巨头战略重心迁移的高度关注，尤其引人瞩目的是其裁员节省的资金流向——微软官方确认将在新财年向人工智能基础设施领域投入约800亿美元。
在AI服务器爆发式增长、新能源系统复杂度飙升的产业背景下，传统控制芯片正面临三重挑战：碳化硅/氮化镓器件的高频开关控制需求、功能安全标准升级、以及机器学习边缘部署的实时性要求。Microchip最新推出的dsPIC33AK512MPS512与dsPIC33AK512MC510数字信号控制器（DSC），通过78ps PWM分辨率与40Msps ADC采样率的核心突破，为高精度实时控制树立了新基准。
根据权威机构IDC最新发布的《全球智能家居设备季度追踪报告》，2025年第一季度全球智能扫地机器人市场迎来强劲开局，总交付量达到509.6万台，较去年同期增长11.9%，连续第二个季度实现超过20%的增长率。市场活力显著提升，展现出强劲复苏势头。
随着ADAS渗透率突破50%（据Yole 2023数据），车载传感器供电与数据传输架构面临革命性变革。传统双线分立设计（电源线+信号线）导致线束占整车重量超3%，且故障率居高不下。TDK株式会社推出的ADL8030VA系列PoC专用电感器，通过单元件高集成方案重构滤波电路，为智能驾驶系统提供空间与可靠性双重优化路径。
