储能逆变器拓扑结构及其设计要点解析

发布时间:2024-08-22 阅读量:2250 来源: 综合自网络 发布人: wenwei

【导读】储能逆变器是一种将直流电能转换成交流电能,并将它们储存在电池中以备后用的装置。储能逆变器原理如下:通过控制器调整电池输出电流、电压的大小和方向,将电池储存的直流电能转换成交流电能,再将其输出到负载上,实现能源的有效利用。


储能逆变器的拓扑结构


储能逆变器拓扑结构不止一种,其中较为常见的有三种:单向储能逆变器、双向储能逆变器和多级储能逆变器。


1. 单向储能逆变器


单向储能逆变器主要用于将电池储存的直流电能转成交流电能,也可用于与新能源发电设备连接,使得发电设备与电网之间变得更可靠和有弹性。单向储能逆变器的输出端为交流电,输入端为直流电,其电路结构简单、成本低,但功率密度小,能力有限。


2. 双向储能逆变器


双向储能逆变器既可以将直流电能转成交流电能,也可以将交流电能转成直流电能,实现能量的双向转换,适用于电力质量调节和双向输电。双向储能逆变器的输出端可以是交流电,也可以是直流电。相比单向储能逆变器,双向储能逆变器功率密度大,能力更强。


3. 多级储能逆变器


多级储能逆变器是一种采用多个单向或双向储能逆变器级联形成的储能系统。多级储能逆变器可提高储能系统的效率和稳定性,同时也可实现更高功率密度的输出。因此,多级储能逆变器在电能储存、太阳能发电和风能发电等方面应用广泛。


储能逆变器的应用


储能逆变器在电能质量调节、能量储存、新能源发电等领域的应用非常广泛。具体来说:


1. 电能质量调节


储能逆变器可用于电源质量调节,对负载电压、频率及波形状况进行调节,提高电源的稳定性和可靠性,以满足不同负载的需求。


2. 能量储存


储能逆变器可以将电网的剩余电能储存在电池中,以备晚上或断电时使用。此外,其还可用于平衡电网的供需关系,以减轻电网负荷压力,提高电网的稳定性。


3. 新能源发电


储能逆变器与太阳能、风力发电设备相连接,能够有效地调节交流电的输出,以确保它的稳定性和可靠性。同时也可以将能量储存在电池中,进一步扩大能源使用范围,提高新能源的利用效率。


储能逆变器的设计要点


储能逆变器的设计要点主要包括电路设计、电池设计、控制系统设计、散热设计、保护系统设计、人机界面设计、技术指标选择、拓扑结构设计、安全性考虑。‌


 (1)‌电路设计‌


根据系统的功率等级和功能需求,进行储能逆变器电路的设计。逆变器电路是储能逆变器的核心部分,负责将直流电转换为交流电,或者将交流电转换为直流电。


(2)电池设计‌


电池是储能逆变器的重要组成部分,其性能直接影响逆变器的整体性能。需要考虑电池的种类、容量、充电和放电特性等因素。


(3)控制系统设计‌


控制系统负责管理整个储能逆变器的运行,包括电池的充放电控制、逆变器的工作模式切换等。需要根据系统的需求和运行环境,设计出高效、稳定、可靠的控制策略。


(4)散热设计‌


由于储能逆变器在工作中会产生大量的热量,因此需要设计有效的散热系统,以保证逆变器的稳定运行。


(5)保护系统设计‌


保护系统可以防止逆变器在异常情况下损坏,包括过载保护、短路保护、过压保护和欠压保护等。


(6)人机界面设计‌


为了方便用户使用和监控储能逆变器的状态,需要设计友好、直观的人机界面,显示逆变器的运行状态、电池的电量等信息。


(7)技术指标选择‌


在设计储能逆变器时,需要根据具体应用场景和需求选择合适的技术指标,包括功率容量、输入电压范围、输出电压范围、输出频率范围、电流波形质量等。


(8)拓扑结构设计‌


储能逆变器的核心部件是功率开关器件,如MOSFET、IGBT等。在工作过程中,通过不同的开关状态来控制电流的流向和大小,从而实现电能转换。


(9)安全性考虑‌


能量储存系统设计中需要考虑安全性和可靠性要求,包括过充电和过放电保护功能,以及温度、过压、欠压等多重保护措施,确保系统安全可靠运行。


储能逆变器的设计需要综合考虑以上几个方面,并根据实际需求进行调整和完善,以确保其高效、稳定、安全地运行‌。



推荐阅读:


采用无感FOC电机控制的优势及应用案例解析

智能网关方案设计要点与实战案例

适用于高性能、‌高可靠性和低成本的车身域控制方案

音频处理:从MCU向SoC晋级


相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地