基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案

发布时间:2025-03-14 阅读量:4371 来源: 发布人: lina

【导读】致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案。


2025年3月13日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案。

 

基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案 

图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案的展示板图

 

在实现“双碳”目标的大背景下,风能、光伏等绿色能源形式正逐步成为推动可持续发展的核心动力。然而,自然界的能源供给存在固有的不稳定性,这要求新能源系统在存储与利用过程中必须依赖高效的储能解决方案,以有效平衡供需波动,降低不确定性影响。氮化镓作为半导体领域的明星材料,凭借其超高频、超低损耗的卓越性能,显著提升了能源转换效率与利用水平,在储能技术领域展现出重要价值。针对这一趋势,大联大诠鼎基于英诺赛科InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片推出2KW 48V双向AC/DC储能电源方案,可以降低系统损耗。

 

基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案 

图示2-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案的场景应用图

 

储能系统采用氮化镓,一方面可以提升效率,降低损耗,实现无风散热,节省风扇,从而提升系统可靠性和寿命;另一方面还能提升开关频率,减小感性和容性等无源器件尺寸来构建更小、更轻的产品。

 

本方案采用All GaN器件,包括前端AC/DC无桥图腾柱PFC和后端DC/DC隔离全桥LLC转换器,支持单双向工作模式。在无桥PFC部分,本方案采用4颗英诺赛科旗下INN650TA030C芯片、LLC原边高压侧搭载4颗INN650TA050C、副边低压侧配备8颗INN100EQ016A、高压管驱动器搭配自研的INS1001DE,与传统IGBT/Si方案相比,本方案可以提供更快的开关速度、更小的开关损耗,从而保持更小的系统体积和更高的效率。

 

基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案 

图示3-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案的方块图

 

此次推出的All GaN器件2KW 48V双向AC/DC储能电源方案,不仅是大联大对当前市场需求的精准回应,更是公司对绿色、高效、智能能源体系的前瞻布局。未来,大联大将秉持开放合作的理念,携手更多志同道合的伙伴,共同加速新能源产业的革新步伐,为实现全球碳中和的宏伟目标注入强劲动能。

 

核心技术优势:

Ÿ 整流和逆变峰值效率96.1%,相较IGBT/Si方案,系统损耗减少40%;

Ÿ PFC工作频率65KHz、LLC谐振频率200KHz、相较IGBT/Si方案,系统功率密度提升1倍。

 

方案规格:

Ÿ 整流:输入电压范围为180Vac~264Vac,输出48V/41.6A,满载最大功率2000W,峰值效率高达96.1%@50%负载;

Ÿ 逆变:输入电压范围为45Vdc~55Vdc,输出220Vac/9.1A,最大稳态工作功率2000W,峰值效率高达96%@50%负载;

Ÿ PCBA尺寸:248mm×120mm×45mm;

Ÿ 开关频率:

Ø PFC:65KHz;

Ø LLC:200KHZ;

Ÿ 高功率密度:2.447W/inch³;

Ÿ 保护功能齐全:输入过压保护/欠压保护/输入过流保护/输出短路及过流过压保护/过温保护。


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


我爱方案网


推荐阅读:

从理论到实践:超低噪声µModule稳压器二阶滤波器优化的全面指南

[换馆定档] IOTE 2025国际物联网展·上海站携手世界移动通信大会(MWC)定档6月上海新国际博览中心!

基于onsemi产品的1500W热泵热水器压缩机驱动器方案

精密测量系统噪声溯源:RTI/RTO建模与仿真实践指南

基于Infineon产品的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案


相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。