发布时间：2025-04-14 阅读量：502 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】韩国媒体Sedaily最新报道显示，三星电子在先进半导体制程领域正采取“跳跃式”技术战略。尽管其2nm GAAz制程（SF2）预计2025年量产，但公司已成立专项团队秘密推进1nm制程研发，目标在2029年实现量产。这一激进布局被业界视为对台积电的全面技术围堵。
2nm制程进展：性能提升但良率差距显著
三星SF2制程采用第三代全环绕栅极（GAA）技术，相较前代SF3性能提升12%、能效优化25%，芯片面积缩小5%。消息称，该制程良率已从初期30%提升至40%，计划2025年第四季度量产，首款搭载产品或为2026年上市的Galaxy S26旗舰手机所用Exynos 2600处理器。不过，台积电2nm制程进展更迅猛，传闻良率已达80%，并将在2024年下半年率先量产，已开放客户订单，或进一步挤压三星高端芯片代工市场份额。
战略急转：放弃1.4nm押注1nm
为缩小与台积电的技术代差，三星近期做出重大战略调整——暂停1.4nm制程开发，将资源集中投入2nm量产及1nm研发。这一决策意味着三星跳过传统制程迭代节奏，直接挑战半导体物理极限。但1nm制程需依赖ASML新一代High NA EUV光刻机（数值孔径0.55），而三星目前尚未获得该设备，为2029年量产目标增添不确定性。
行业变局：设备争夺战与生态博弈
当前ASML年产能仅10台High NA EUV光刻机，台积电、英特尔已率先抢购。若三星无法及时获取关键设备，其1nm研发进度恐受掣肘。与此同时，三星正加速构建2nm客户生态，除自研Exynos芯片外，传闻正与谷歌、特斯拉等企业接洽，力图在自动驾驶、AI芯片领域分食台积电订单。
分析师指出，三星“技术蛙跳”战略风险与机遇并存：若1nm成功突破，或改写全球晶圆代工格局；但若设备供应与良率爬坡滞后，台积电2nm-1.4nm-1nm的渐进路线仍将保持代际优势。这场“埃米级战争”或将决定未来十年半导体产业权力版图。
在USB4®和Thunderbolt™接口传输速率突破10GHz的产业背景下，静电放电（ESD）和意外短路引发的系统失效已成为消费电子与通信设备的核心痛点。传统保护方案在射频性能与防护强度间的取舍矛盾，特别是不合规Type-C接口中Vbus与TX/RX短路风险，迫使行业寻求突破性解决方案。Nexperia最新推出的五款1V保护二极管，通过创新架构实现鱼与熊掌兼得的技术跨越。
2025年8月1日，璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式通过验收并交付国内特色工艺客户。该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术，标志着我国在高端半导体装备领域取得实质性突破。
全球晶圆代工龙头企业台积电在推进2nm先进制程量产的关键阶段，于内部安全审查中发现异常活动。公司声明显示，其监控系统侦测到未经授权的技术信息访问行为，已对涉事人员解除雇佣关系，并启动法律程序追责。
在2025年8月4日，全球领先的半导体解决方案供应商Onsemi正式发布了其2025年第二季度财务报告。本季度，公司展现了稳健的经营表现，反映其在功率半导体领域的战略优势。随着汽车电子化和人工智能应用的加速渗透，Onsemi通过持续优化业务模式，在充满变化的市场环境中取得可喜进展。
据Counterpoint Research近期发布的报告，2025年第二季度，全球智能手机市场呈现显著收入增长，总收入达1000亿美元以上，同比提升10%。这一数据创下了自统计以来第二季度的收入新高峰。尽管出货量仅同比增长3%，不足总量的显著跃升，但市场动能源于平均售价（ASP）的大幅上涨。报告显示，本季度ASP同比增长7%，达到约350美元的历史高位，反映出消费者对高端设备的强劲需求推动了整体盈利能力提升。这种收入与出货量的差异化增长，突显了市场结构正加速向高端化转变。
