发布时间：2025-04-15 阅读量：611 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】【北京】2025年4月15日，中国半导体龙头企业兆易创新（603986）正式推出革命性存储产品GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash。该产品通过创新架构设计，实现83MB/s极速读取性能，较传统产品提升300%，同时搭载智能坏块管理系统，为物联网、工业控制等领域提供高性价比存储解决方案。
核心技术突破：
1. 速度飞跃：采用24nm先进制程与并行ECC算法，3V电压下工作频率达166MHz，连续读取速率突破83MB/s，系统启动时间缩短40%
2. 智能管理：首创动态地址映射技术，通过逻辑-物理块地址智能转换，将坏块影响降低90%，存储空间利用率提升35%
3。 能效优化：支持双电压（3V/1.8V）模式，在66MB/s速率下功耗较同类产品下降20%
据兆易创新存储事业部总经理苏如伟介绍，该产品创新融合NOR Flash的高速特性与NAND Flash的成本优势，尤其适用于智能安防摄像机、工业PLC控制器等需要快速启动的设备。通过内置8bit ECC校验和Cache Read技术，有效解决传统SPI NAND易受数据干扰的行业难题。
目前GD5F1GM9系列已实现1Gb容量量产，提供WSON8和BGA24两种封装方案，兼容主流工业设备接口标准。企业用户可通过兆易创新官方渠道获取样品及技术文档，批量订单可享受定制化固件开发服务。
在USB4®和Thunderbolt™接口传输速率突破10GHz的产业背景下，静电放电（ESD）和意外短路引发的系统失效已成为消费电子与通信设备的核心痛点。传统保护方案在射频性能与防护强度间的取舍矛盾，特别是不合规Type-C接口中Vbus与TX/RX短路风险，迫使行业寻求突破性解决方案。Nexperia最新推出的五款1V保护二极管，通过创新架构实现鱼与熊掌兼得的技术跨越。
2025年8月1日，璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式通过验收并交付国内特色工艺客户。该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术，标志着我国在高端半导体装备领域取得实质性突破。
全球晶圆代工龙头企业台积电在推进2nm先进制程量产的关键阶段，于内部安全审查中发现异常活动。公司声明显示，其监控系统侦测到未经授权的技术信息访问行为，已对涉事人员解除雇佣关系，并启动法律程序追责。
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