兆易创新发布GD5F1GM9高速闪存芯片 读取速度提升3倍

【导读】【北京】2025年4月15日，中国半导体龙头企业兆易创新（603986）正式推出革命性存储产品GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash。该产品通过创新架构设计，实现83MB/s极速读取性能，较传统产品提升300%，同时搭载智能坏块管理系统，为物联网、工业控制等领域提供高性价比存储解决方案。

核心技术突破：

1. 速度飞跃：采用24nm先进制程与并行ECC算法，3V电压下工作频率达166MHz，连续读取速率突破83MB/s，系统启动时间缩短40%

2. 智能管理：首创动态地址映射技术，通过逻辑-物理块地址智能转换，将坏块影响降低90%，存储空间利用率提升35%

3。 能效优化：支持双电压（3V/1.8V）模式，在66MB/s速率下功耗较同类产品下降20%

据兆易创新存储事业部总经理苏如伟介绍，该产品创新融合NOR Flash的高速特性与NAND Flash的成本优势，尤其适用于智能安防摄像机、工业PLC控制器等需要快速启动的设备。通过内置8bit ECC校验和Cache Read技术，有效解决传统SPI NAND易受数据干扰的行业难题。

目前GD5F1GM9系列已实现1Gb容量量产，提供WSON8和BGA24两种封装方案，兼容主流工业设备接口标准。企业用户可通过兆易创新官方渠道获取样品及技术文档，批量订单可享受定制化固件开发服务。