璞璘科技突破纳米压印技术瓶颈 国产高端半导体设备实现交付

【导读】2025年8月1日，璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式通过验收并交付国内特色工艺客户。该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术，标志着我国在高端半导体装备领域取得实质性突破。

技术指标国际领先 工艺精度达纳米级

PL-SR系列设备可支持线宽＜10nm的纳米压印光刻工艺，超越佳能FPA-1200NZ2C设备14nm的制程能力。通过创新喷墨涂胶工艺，设备实现了平均残余层厚度＜10nm、波动范围＜2nm的原子级精度控制，结构深宽比突破7:1。自主研发的模板面型控制系统解决了石英模板与硅晶圆间的翘曲贴合难题，为高精度压印奠定基础。

差异化优势显著 重塑芯片制造成本结构

相较EUV光刻技术，纳米压印设备能耗降低90%，投资成本仅为EUV系统的40%。璞璘科技同步开发了可溶剂清洗的光固化纳米压印胶体系，规避了石英模板污染风险。设备采用喷墨打印动态调胶技术，可依据芯片结构的占空比变化精准调控胶量，显著提升工艺稳定性。

应用场景聚焦存储芯片 突破海外技术封锁

尽管该技术暂不适用于多层逻辑芯片制造，但在存储芯片领域优势突出。NAND Flash的多层同构特性与纳米压印工艺高度适配，PL-SR系列已通过存储芯片、硅基微显、硅光及先进封装等验证。此次交付打破了海外对华禁运高端纳米压印设备的局面，为国产存储芯片厂商提升制程竞争力提供关键装备支撑。

拼版技术实现晶圆级量产 产业链协同攻关持续

设备搭载高精度拼版系统，支持最小20mm×20mm模板的均匀拼接，最终覆盖300mm（12英寸）晶圆级压印。璞璘科技正联合国内科研机构攻关＜10nm对准精度技术，该指标难度与EUV光刻同属量级，产业链协同创新将成为下一代芯片装备自主化的核心路径。