Vishay推出Gen4.5 650V E系列MOSFET 能效提升65%助力高功率应用

【导读】威世科技（NYSE:VSH）近日发布全新SiHK050N65E功率MOSFET器件，该产品属于Gen4.5 650V E系列，专为通信、工业及计算领域的高效能需求研发。相较于前代产品，该MOSFET实现关键技术突破：导通电阻降低48.2%，栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）优化65.4%，显著提升功率转换效率。

这款采用PowerPAK® 10x12封装的新品适用于6kW以上高功率场景，支持200-277VAC宽电压输入，符合开放计算项目ORV3标准。其核心优势包括：

1. 0.048Ω超低导通电阻（10V条件）

2. 78nC栅极电荷实现3.74nC*Ω优值系数

3. 167pF有效输出电容创行业新低

4. 通过100%雪崩测试，强化过压保护能力

在应用层面，SiHK050N65E可满足：

  ●    数据中心：服务器电源钛金认证、边缘计算设备

  ●    工业场景：UPS不间断电源、焊接设备、光伏逆变器

  ●    通信系统：5G基站电源模块

  ●    新能源领域：电动汽车充电桩、电池管理系统

目前该器件已进入量产阶段，支持Kelvin连接设计以增强抗干扰性，符合RoHS环保标准。威世科技同步提供技术样品申请服务，具体供货周期可通过官方渠道查询。此次产品升级将有效助力电源系统架构在PFC电路和DC/DC转换环节实现能效突破，推动高密度电源方案发展。