800V高压平台标配!深度解析国产SiC主驱模块如何实现能耗降低20%

发布时间:2025-04-21 阅读量:878 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】全球新能源汽车正经历"功率跃迁",据IDTechEX数据显示,800V高压平台车型的SiC渗透率已达71%,主驱系统正向1200V/450A+高功率架构演进。华润微电子PDBG基于自主SiC IDM平台,创新推出双拓扑结构主驱模块,其DCM/HPD系列产品实测结温控制、均流特性等核心指标已超越国际竞品。


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【硬核技术拆解】


1. 芯片级创新:采用Vth分档技术实现6-8管精准并联,导通损耗降低至竞品A的83%


2. 封装黑科技:


  ●   双面银烧结+AMB氮化硅基板:寄生电感<5nH(较传统DBC降低40%)

  ●   3D Pin-Fin水道设计:热阻系数优化18%,实测芯片温差1.78℃(行业平均>3℃)


3. 系统级验证:


  ●   台架测试400Arms工况下,模块效率>98.7%

  ●   160小时耐久测试参数漂移<2%,满足ASIL-D功能安全要求


【800V生态布局】


针对800V平台特殊需求,模块集成:


  ●   智能NTC传感器:温度采样精度±1℃

  ●   低电感端子设计:支持20kHz以上开关频率

  ●   耐离子迁移封装:通过85℃/85%RH-1000h可靠性认证


【国产替代突破】


华润微电子已建成月产5万片的车规级SiC产线,其DCM模块相较进口产品:


  ●   开关损耗降低22%

  ●   功率密度提升至45kW/L(行业基准40kW/L)

  ●   系统成本下降15%(得益于AMB基板国产化)


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