288GB HBM+50%性能跃升：B300如何重塑AI服务器市场格局

【导读】在全球半导体产业加速迭代的背景下，英伟达新一代B300芯片量产计划提前至5月启动，标志着AI算力硬件进入新一轮技术攻坚期。该芯片基于台积电5nm制程与CoWoS-L先进封装技术，通过架构复用与供应链协同优化，实现性能与产能的双重突破。面对地缘政治对H20芯片的限制，英伟达以技术替代方案快速填补市场空缺，同时台积电南科AP8厂封装产能的提前部署，为288GB HBM容量与50%性能跃升提供了关键支撑。这一进程不仅推动摩尔定律边界的延伸，更将重构全球AI芯片产业链的竞争格局。

技术升级与供应链协同推动B300芯片量产进程

英伟达新一代B300芯片的生产计划已提前至2025年5月启动，该芯片基于台积电5nm工艺制程及CoWoS-L先进封装技术，标志着高性能计算领域的重大突破。作为Blackwell架构的重要迭代产品，B300沿用了Bianca架构设计，使得零组件与代工厂的学习曲线得以延续，预计2024年底可实现GB300的量产交付。这一进展得益于台积电南科AP8先进封装厂提前完成设备进驻，其CoWoS-L产能扩张直接响应了英伟达对高带宽内存（HBM）容量提升至288GB、计算性能较前代提升50%的迫切需求。

封装技术创新突破摩尔定律限制

B300采用的CoWoS-L封装技术通过重组中介层（RI）整合多芯片模块，成功突破传统光罩尺寸限制，实现2500平方毫米的超大封装面积。该技术结合硅桥互连与全域再分布层（RDL），在提升晶体管密度的同时优化散热性能。台积电为此开发了双大马士革铜工艺与半新增工艺（SAP），最小金属间距达到0.8μm，显著降低信号延迟。设备厂商牧德推出的六面检测机与颖崴的高阶测试方案，则为封装良率控制提供了关键技术支撑。

地缘政治影响下的全球产能布局

尽管英伟达计划通过台积电亚利桑那州晶圆厂推进"美国制造"战略，但美国当前缺乏CoWoS-L封装能力，芯片仍需返台进行后段处理。这一现实矛盾凸显先进封装技术的地域壁垒，也促使台积电加速海外封装厂建设。分析师指出，英伟达选择5nm工艺的B300填补H20被禁导致的产能缺口，既保障了供应链弹性，又为Blackwell架构的持续演进奠定基础。

生态链企业受益与行业格局重塑

ODM厂商如广达、纬创等因GB300沿用既有设计架构，可快速提升组装效率，健策等零组件供应商亦迎来订单增长。TrendForce预测，2025年CoWoS-L需求将激增1018%，台积电相关产能占比将超54%，推动封测产业链价值重构。华金证券研报强调，Chiplet技术将带动封测、设备及材料领域年均增长超20%，通富微电、北方华创等企业或成主要受益者。