发布时间：2025-04-29 阅读量：773 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在全球DRAM市场格局加速重构的背景下，三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点，转而集中资源开发基于垂直通道晶体管（VCT）架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示，三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产，较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构，将存储单元面积缩减30%，并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题，被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
面对SK海力士凭借HBM3E技术抢占AI内存市场的压力，三星正加速内部架构调整。其第七代1d nm工艺研发团队已与1e nm研究组合并，同时在平泽工厂新建第七代DRAM测试线，预计2025年Q1完成设备部署，目标将良率提升至80%以上。值得注意的是，三星计划在2025年同步推出基于VCT架构的4F²原型芯片，并启动16层3D DRAM堆叠技术验证，尝试将NAND闪存的堆叠经验迁移至DRAM领域。
行业分析指出，VCT技术的突破面临三重挑战：需开发铁电体等新型介电材料以降低漏电流，优化晶圆级混合键合精度至微米级，以及重构背面供电网络（BSPDN）适配三维结构。三星为此已在美国硅谷设立专项实验室，并与东京电子合作开发原子层沉积设备。竞争对手SK海力士则选择差异化路径，规划在2026年推出基于0a nm节点的垂直栅极（VG）DRAM，并已实现五层堆叠结构的56.1%良率。
市场策略方面，三星计划逐步停产DDR4等低毛利产品，将产能转向LPDDR5X和HBM3E。此举既为应对长鑫存储等中国厂商在传统DRAM领域的价格竞争，也旨在集中资源攻克HBM4技术节点。据供应链消息，三星正与台积电协商合作开发HBM4基础裸晶，试图复制SK海力士与台积电的联合开发模式。机构预测，3D DRAM市场规模将在2028年突破千亿美元，技术路线之争或将重塑全球存储产业生态。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
