发布时间：2025-04-29 阅读量：81 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在全球DRAM市场格局加速重构的背景下，三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点，转而集中资源开发基于垂直通道晶体管（VCT）架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示，三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产，较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构，将存储单元面积缩减30%，并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题，被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
面对SK海力士凭借HBM3E技术抢占AI内存市场的压力，三星正加速内部架构调整。其第七代1d nm工艺研发团队已与1e nm研究组合并，同时在平泽工厂新建第七代DRAM测试线，预计2025年Q1完成设备部署，目标将良率提升至80%以上。值得注意的是，三星计划在2025年同步推出基于VCT架构的4F²原型芯片，并启动16层3D DRAM堆叠技术验证，尝试将NAND闪存的堆叠经验迁移至DRAM领域。
行业分析指出，VCT技术的突破面临三重挑战：需开发铁电体等新型介电材料以降低漏电流，优化晶圆级混合键合精度至微米级，以及重构背面供电网络（BSPDN）适配三维结构。三星为此已在美国硅谷设立专项实验室，并与东京电子合作开发原子层沉积设备。竞争对手SK海力士则选择差异化路径，规划在2026年推出基于0a nm节点的垂直栅极（VG）DRAM，并已实现五层堆叠结构的56.1%良率。
市场策略方面，三星计划逐步停产DDR4等低毛利产品，将产能转向LPDDR5X和HBM3E。此举既为应对长鑫存储等中国厂商在传统DRAM领域的价格竞争，也旨在集中资源攻克HBM4技术节点。据供应链消息，三星正与台积电协商合作开发HBM4基础裸晶，试图复制SK海力士与台积电的联合开发模式。机构预测，3D DRAM市场规模将在2028年突破千亿美元，技术路线之争或将重塑全球存储产业生态。
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据，2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元，在全球市场占比提升至22%，展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破，在销售额（10.9%）和出货量（11.2%）两大核心指标上均跻身市场前两强，标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露，该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司（SSS）实施部分分拆，计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段，同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上，移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术，解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题，为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
2025年4月28日，京东方科技集团股份有限公司（以下简称“京东方”）发布2025年第一季度财报，以多项核心经营指标的历史性突破，彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内，公司实现营业收入505.99亿元，同比增长10.27%，创下一季度收入新高；归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元，同比大幅增长64.06%，扣非净利润13.52亿元，同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地，以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。
Diodes公司（纳斯达克：DIOD）近期推出的DSCxxA065LP系列650V碳化硅（SiC）肖特基二极管，标志着第三代半导体在高频高效电源领域的重大突破。该系列覆盖4A至12A电流规格，采用T-DFN8080-4封装，凭借极低的品质因数（FoM=QC×VF）和反向漏电流（IR≤20µA），为数据中心、新能源车充电、工业电机驱动等场景提供了更优的功率转换解决方案。
