发布时间：2025-04-30 阅读量：3265 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】格科微电子（688728.SH）2024年度财务报告显示，公司年度营收突破63.83亿元人民币，实现35.9%的同比增幅，归母净利润呈几何级增长达1.87亿元，EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略，特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。
手机CIS技术攻坚与产品迭代
在移动端主战场，公司通过单芯片高像素集成技术（HPSI）实现产品结构跃迁。3200万像素产品线已形成覆盖0.61μm至1.0μm的全工艺节点布局，其中GC50系列创新性采用混合堆栈架构，在1/2.3英寸光学尺寸下实现等效1.0μm大像素性能。该技术突破使产品成功渗透vivo、OPPO等头部厂商的18款主力机型，推动1300万+像素产品收入占比提升至40%。值得关注的是，5000万像素GC50F6型号通过背照式深槽隔离(BSI-DTI)工艺，将量子效率提升至68%的行业新高度。
多光谱成像与智能化突破
公司量产的多光谱CIS搭载16通道滤光片阵列，支持380-1050nm宽光谱覆盖，通过自适应白平衡算法实现ΔE<1.5的色彩还原精度。该产品创新应用非拜耳阵列设计，在智能手机端实现光谱分辨率与空间分辨率的解耦优化，为医疗级皮肤检测、食品成分分析等AI应用奠定硬件基础。技术团队透露，正在开发的第三代产品将集成微型化光栅结构，有望将光谱分辨率提升至10nm级别。
非手机市场的技术纵深布局
在IoT领域，GC4103型号通过2μm超大像素设计，在0.3lux照度下达成74dB动态范围，其智能功耗管理系统实现2mW@30fps的能效标杆。车载前装CIS完成AEC-Q100 Grade 2认证，采用抗闪烁双转换增益技术，在120dB HDR模式下实现LED闪烁抑制率>95%。针对AI眼镜开发的TCOM封装，通过晶圆级模组重构工艺将模组厚度压缩至0.8mm，背压测试显示在85℃/85%RH条件下3000小时无失效。
技术研发体系与产业协同
公司构建了从设计服务(Fab-lite)到工艺协同的垂直创新体系，28nm CIS专用工艺平台实现95%以上IP自给率。研发投入强度维持在18.7%的高位，重点攻关3D堆栈式CIS和事件驱动型视觉传感器。供应链方面，与晶圆代工厂共同开发的BSI产线良率突破92.5%，封装测试环节引入AI视觉检测系统，使产品缺陷率降至0.8PPM。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
