发布时间：2025-05-20 阅读量：887 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期，呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示，五大NAND Flash头部厂商（三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据）于二季度联合实施产能调控策略，将稼动率下调10-15个百分点，这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示，NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅，成功扭转连续三个季度的下行趋势。
国际贸易环境变化成为驱动市场的重要因素。中美两国在半导体领域的政策博弈持续加剧，特别是针对先进制程存储产品的进出口管制措施，促使下游客户加速执行存货策略。企业采购部门为确保合规供应链稳定，将原计划的季度采购计划集中提前执行，形成具有典型"脉冲式"特征的备货潮。这种现象直接导致二季度合约价谈判中，买方议价筹码显著削弱。
从细分市场表现来看，DRAM产品线呈现显著分化格局。常规DDR4产品一季度均价跌幅达8-13%，而面向AI计算的高带宽内存(HBM)凭借技术壁垒维持价格韧性，仅微跌0-5%。随着云端AI服务器扩容需求在二季度集中释放，HBM订单能见度已延伸至2026年，其合约价与常规DRAM同步实现3-8%的修复性增长。值得注意的是，HBM3e规格产品由于良率爬坡缓慢，实际成交价涨幅逼近预测区间上限。
NAND Flash市场经历剧烈调整后渐趋稳定。一季度受消费电子需求疲软拖累，主流TLC产品价格暴跌15-20%，部分低端QLC颗粒甚至出现价格倒挂现象。随着原厂启动制程转换（192层向232层迭代），有效供给量环比减少8.7%，渠道库存周转天数由Q1的9周降至Q2末的6.3周。价格回升过程中，企业级PCIe 4.0 SSD表现最为强劲，季度涨幅达7.2%，显著优于移动端UFS产品的3.8%增幅。
市场分析师指出，本轮价格反弹的持续性将取决于三大关键变量：晶圆厂资本开支调整力度、HBM产能爬坡进度以及AI服务器渗透率提升速度。值得关注的是，主要厂商正在加快推进3D NAND堆叠层数突破300层的研发进程，技术创新带来的成本下降或将缓解未来价格上行压力。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
