日月光半导体推出TSV-enhanced FOCoS-Bridge技术，加速AI与HPC芯片封装革新

【导读】5月29日，全球半导体封测龙头日月光半导体（ASE）宣布推出具备硅通孔（TSV）的扇出型基板上芯片桥接技术（FOCoS-Bridge），旨在提升AI与高性能计算（HPC）芯片的互连密度、能效及散热性能。该技术通过TSV缩短信号传输路径，优化电源完整性，并支持更高速的数据传输，以满足AI、HPC及小芯片（Chiplet）集成需求。

核心优势：高密度互连与能效提升

FOCoS-Bridge TSV技术的关键突破在于：

1. 更高I/O密度：TSV桥接芯片提供垂直电力传输路径，相比传统横向互连，电阻降低72%，电感减少50%。

2. 增强散热能力：适用于高功率AI芯片，如GPU、ASIC及HBM3内存集成。

3. 异构集成支持：可嵌入被动元件（如去耦电容）及主动芯片（如I/O控制器），优化电源管理与信号完整性。

应用场景：AI、HPC及Chiplet趋势

随着AI算力需求激增，传统封装技术面临带宽瓶颈。日月光FOCoS-Bridge TSV已成功应用于85mm x 85mm测试载具，横向互连ASIC与四颗HBM3芯片，并整合10个被动元件，为下一代AI服务器、自动驾驶及数据中心提供高能效解决方案。

行业影响与未来展望

日月光执行副总Yin Chang指出，该技术将推动智慧制造、自动驾驶、精准医疗等领域的AI落地。VIPack平台的持续扩展，标志着日月光在先进封装领域的领导地位，未来有望进一步优化3D IC集成，满足更复杂的HPC需求。