发布时间：2025-06-5 阅读量：787 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年第一季度，全球DRAM市场格局迎来重大变化。据TrendForce和Counterpoint Research最新报告显示，SK海力士凭借高带宽存储器（HBM）的技术优势，首次超越三星电子，以36%的市场份额位居行业榜首。三星电子以33.7%的份额退居第二，美光则以24.3%的份额排名第三。
市场格局逆转，SK海力士首次登顶
2024年第一季度，三星电子仍以43.9%的市场份额占据主导地位，而SK海力士仅为31.1%。然而，短短一年内，SK海力士的市场份额稳步提升，并在2025年第一季度实现反超。TrendForce分析指出，这一变化主要得益于SK海力士HBM3E产品的强劲需求，而三星电子因HBM3E出货受限，市场份额大幅下滑。
HBM技术成竞争核心，SK海力士占据先机
HBM（高带宽存储器）是AI服务器和高端GPU的关键组件，市场需求持续增长。SK海力士作为英伟达HBM3E的独家供应商，在技术研发和产能布局上占据优势。今年3月，该公司已提前向客户提供下一代HBM4（第六代）12层产品的样品，进一步巩固领先地位。相比之下，三星电子的HBM3E认证进程延迟，导致其在高端市场竞争力下降。
三星调整战略，全力冲刺HBM4
面对市场失利，三星电子迅速调整策略，减少旧款HBM2E的产量，集中资源开发HBM4。该公司表示，已重新设计10纳米级DRAM芯片，优化良率和稳定性，以适配HBM4需求。此外，三星已完成改进版HBM3E的样品供应，预计第二季度起销量将逐步回升，并计划在下半年量产HBM4，以夺回市场主导权。
DRAM市场短期承压，第二季度或迎复苏
尽管SK海力士表现亮眼，但全球DRAM市场第一季度总销售额仍环比下降5.5%，至270.1亿美元。TrendForce认为，这一下滑主要受DRAM合约价格走低及HBM出货量减少影响。不过，随着PC和智能手机厂商在第二季度加大备货，DRAM需求有望回暖，行业增长势头将逐步恢复。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
