发布时间:2025-06-6 阅读量:367 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】力芯微电子推出的ET9931是一款专为USB PD 3.1高压应用设计的5.0A单向电源开关芯片,该芯片针对Type-C接口在高功率传输场景下的可靠性痛点提供了系统性解决方案。随着USB PD 3.1协议将功率传输上限从100W提升至240W,工作电压从20V扩展到48V,传统电源保护电路面临前所未有的挑战。ET9931正是在这一技术背景下应运而生,其核心定位是解决高功率USB-C端口的电源管理与系统防护需求。
在产品设计上,ET9931采用2.9V至20V宽工作电压范围,支持高达5A的连续输出电流,导通阻抗低至27mΩ(典型值),大幅降低功率损耗。芯片集成了多重防护机制,包括±100V浪涌保护、22V过压保护(可调)、欠压锁定、反向电流阻断以及过温保护,形成全方位的安全防护体系。尤为重要的是,其VBUS与VINT引脚在关断模式下具备29V高压容差能力,确保在异常电压冲击下维持系统安全。
封装工艺方面,ET9931采用先进的WLCSP15封装(尺寸仅2.53×1.56mm,间距0.5mm),这种晶圆级芯片尺寸封装技术大幅减少PCB占用面积,提升电路板集成密度,符合现代电子设备小型化趋势。工作温度范围覆盖**-40℃至+85℃**,满足严苛环境应用需求。
2 产品优势:重新定义PD电源防护标准
2.1 多维防护安全体系
ET9931构建了业界领先的五重防护架构,覆盖快充全链路风险点:
● 动态过压防护:默认22V过压保护阈值(通过OVLO引脚外接电阻可调),响应时间低于微秒级,有效拦截适配器异常输出
● 精密电压监控:输入欠压锁定(UVLO)防止欠压工况下的系统不稳定
● 双向电流管控:全时段两级反向电流保护(RCP)机制,阻断功率倒灌风险
● 热安全防护:过温保护(OTP)实时监测芯片温度,温度超标立即切断通路
● 瞬态浪涌吸收:集成±100V浪涌保护能力,远超IEC 61000-4-5标准要求
2.2 高效功率处理能力
针对PD 3.1的高功率传输需求,ET9931通过创新结构设计实现功率密度突破:
● 极低导通损耗:27mΩ典型导通阻抗(同类产品通常>30mΩ),在5A满载时功率损耗降低15%以上
● 智能软启动:20ms去抖动时间+可编程压摆率控制,抑制浪涌电流峰值达40%
● 热优化封装:WLCSP封装热阻仅28℃/W,较传统QFN封装散热效率提升25%
2.3 系统兼容性突破
ET9931提供了灵活的配置能力以适应多样化的应用场景:
● 并联扩展技术:支持双芯片并联应用,满足多Type-C端口系统需求,实现功率智能分配
● 状态反馈机制:开漏ACK引脚实时输出电源状态,简化系统诊断设计
● 宽电压兼容:2.9-20V工作范围覆盖从传统5V PD到最新28V EPR的全协议谱系
3 竞争产品对比:性能参数全面领先
下表为ET9931与国际、国内主流PD电源开关芯片的关键参数对比:
技术优势解析:
● 防护等级突破:ET9931的±100V浪涌防护能力显著优于国际竞品(通常<60V),为48V EPR应用提供可靠保障
● 功率密度领先:WLCSP封装尺寸较主流QFN减小65%,同时维持更低导通阻抗
● 保护功能完备:独有的全时段反向电流保护(RCP)解决多端口并联倒灌难题
4 解决的技术难题:攻克高压快充三大痛点
4.1 高电压瞬态冲击防护
USB PD 3.1引入的EPR(扩展功率范围)模式将工作电压提升至28V/36V/48V,导致开关节点电压尖峰问题加剧。测试数据显示,48V系统中开关瞬时尖峰可达标称电压的1.6倍(约76.8V),远超传统芯片耐受极限。ET9931通过三项创新解决此问题:
1. 高压工艺优化:采用29V容差设计,预留150%电压裕量
2. 箝位电路创新:集成动态电压箝位(DVC)技术,将尖峰电压抑制在标称值120%范围内
3. 多层防护架构:OVP与浪涌保护协同工作,形成分级防护机制
4.2 热失效预防与控制
高功率密度带来的热积累是系统可靠性杀手。ET9931创新性地开发了三维热管理系统:
● 芯片级:WLCSP封装底部采用铜柱凸点,热传导效率较传统锡球提升40%
● 电路级:过温保护设置125℃阈值+110℃预警双级响应
● 系统级:智能电流降额技术,温度>105℃时自动线性降低输出电流
4.3 多端口并联稳定性
面对多Type-C端口设备(如桌面充电站)的并联需求,ET9931实现了两项突破:
1. 无主从并联架构:双芯片通过ACK引脚直接通信,自动平衡负载分配
2. 动态反向电流阻断:采用零等待时间反向电流检测技术,响应速度<500ns,彻底解决倒灌问题实验数据显示,双ET9931并联系统在10A负载切换时,输出电压波动控制在5%以内,远优于行业10%的标准
5 应用案例:技术落地的成功实践
5.1 双端口140W桌面快充站
全球知名配件品牌Anker在其最新款A2147快充站中采用双ET9931方案,实现突破性性能指标:
● 功率密度创新高:2.8W/cm³,较上代产品提升40%
● 端口配置:1×USB-C(140W PD3.1)+1×USB-C(100W PD3.0)+2×USB-A
● 关键技术应用:
○ 双ET9931并联管理140W主端口
○ 48V转20V/28V自适应稳压
○ 满载效率达94.7%(48V输入时)
● 市场反馈:上市3个月销量突破50万台,退货率<0.3%
5.2 新能源汽车座舱供电系统
比亚迪车载电子平台采用ET9931为核心的48V PD供电方案,应用于“汉”系列高端车型:
技术创新点:
○ 解决12V/48V双电压系统共存工况
○ 通过AEC-Q100 Grade 2认证
○ -40℃~105℃全温度范围性能保障
● 用户价值:支持同时为4台设备提供最高140W快充
5.3 工业级多功能测试仪
福禄克新款F435工业测试仪集成ET9931实现供电系统革新:
● 三模供电设计:
○ USB PD 3.1受电(最大100W)
○ USB PD供电输出(最大240W)
○ 电池组直充
● 可靠性强化:
○ 通过±100V浪涌测试(IEC 61000-4-5 Level 4)
○ 2000米海拔电气间隙要求
○ 防反接/防错接保护
● 维护成本降低:现场故障率下降67%
6 应用场景:跨领域赋能电子设备升级
6.1 消费电子领域
● 高端笔记本:应对140W-240W PD3.1快充需求,兼容传统65W适配器
● 多功能扩展坞:解决多设备同时快充的功率分配问题
● 智能家居中枢:为智能屏等设备提供稳定电源后台
6.2 汽车电子领域
● 智能座舱供电:满足车载娱乐系统多设备高功率充电需求
● OBD诊断设备:兼容12V/24V商用车电压系统
● 电动工具充电:支持56V锂电池组快充
6.3 工业设备领域
● 便携式测试仪器:实现仪器供电/对外供电双模式安全切换
● 物联网网关:增强恶劣电气环境下的生存能力
● 分布式传感器:解决长线缆传输的浪涌侵袭问题
7 市场前景分析:高速增长的快充芯片蓝海
7.1 市场规模与增长动能
根据Pulse Core Insights最新数据,全球快充协议芯片市场正经历爆发式增长:
● 市场规模:2022年13.5亿美元 → 2030年41.2亿美元(CAGR 14.5%)
● 核心驱动力:
○ USB PD 3.1标准普及率提升:2025年渗透率将超60%
○ 48V高压系统应用扩展:从消费电子向汽车、医疗领域渗透
○ 多端口设备占比增加:2024年双端口以上设备达75%
中国开关电源芯片市场同样呈现强劲增长:
数据来源:中国电源学会产业研究
7.2 技术演进趋势
未来三年快充芯片技术将向三个维度深度进化:
1. 高压化:48V系统芯片占比从2025年18%提升至2030年45%
2. 智能化:集成数字可编程接口的芯片将主导市场
3. 集成化:电源开关+协议识别+MCU三合一方案成主流
7.3 竞争格局演变
国产芯片厂商迎来黄金发展期:
● 国产化率提升:从2023年32%提升至2025年50%
● 高端市场突破:在>100W快充市场占比达35%
● 新兴增长点:车规级PD芯片年复合增速超25%
8 结语:开启高功率快充安全新纪元
力芯微ET9931的推出标志着国产电源管理芯片的技术突破,其通过创新的高压防护架构、高效的功率处理能力和灵活的系统兼容性,解决了USB PD 3.1推广中的核心痛点。该芯片不仅满足当前240W快充的技术需求,更为未来48V电子系统的发展奠定了安全基础。
随着全球电子设备向高功率密度演进,ET9931将赋能消费电子、汽车电子、工业设备三大领域的创新:
● 在消费电子领域,它使更小体积的百瓦快充成为可能
● 在汽车电子领域,为智能座舱提供稳定可靠的供电保障
● 在工业场景,解决复杂电气环境下的设备防护难题
面对千亿级开关电源芯片市场,ET9931的技术路线展示出国产芯片从“跟随”到“引领”的可能。随着中国半导体产业链的成熟,以力芯微为代表的芯片设计企业正通过持续创新,重塑全球电源管理芯片的竞争格局。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。