发布时间：2025-06-11 阅读量：436 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】据业内权威媒体Tweaktown报道，英伟达（NVIDIA）联合三星、SK海力士及美光三大DRAM巨头共同开发创新型SoCEM（System on Chip-Embedded Memory）内存模块。出乎业界预料，美光（Micron）率先通过量产认证，成为该技术的核心供应商。
SoCEM：AI GPU的性能加速引擎
SoCEM是英伟达提出的高性能内存解决方案，由16颗LPDDR5X芯片以4×4架构堆叠组成。与面向AI GPU的HBM（高频宽存储器）不同，SoCEM直接连接中央处理器（CPU），作为系统级辅助内存协同工作。其核心使命是确保AI加速器负载峰值下的稳定性，该技术将被集成于英伟达2025年发布的下一代Rubin GPU平台中。
技术革新：打线接合工艺实现能效跃升
区别于HBM依赖硅通孔（TSV）的垂直互联方案，SoCEM采用先进的"打线接合"（Wire Bonding）技术，通过铜线连接16颗DRAM芯片。铜材的高导热特性显著降低单芯片发热量。美光凭借其低功耗DRAM技术，宣称功耗效率优于竞品20%，这一优势成为其率先量产的关键。
量产突围：美光以结构设计反超EUV路线
业界分析指出，美光在极紫外光刻（EUV）设备应用上的"后发劣势"反而转化为竞争优势。相较于三星、SK海力士依赖EUV提升制程密度，美光专注结构创新，在维持低发热的同时突破性能瓶颈。每台英伟达AI服务器将搭载4组SoCEM模块，总计集成256颗LPDDR5X芯片。
应用扩展：从数据中心到个人超级计算机
除Rubin GPU外，SoCEM技术有望应用于英伟达正在开发的个人超级计算机"Digits"。若该产品实现规模化落地，将显著扩大SoCEM市场增量。同时，美光在移动端DRAM领域同步突破：其为三星Galaxy S25系列供应超70%初期LPDDR5X芯片，首次成为三星手机主供应商，并在2022年率先将LPDDR5X导入iPhone 15系列。
HBM市场格局生变：美光借散热技术弯道超车
面对即将量产的12层堆叠HBM4（2024下半年）及16层堆叠HBM4（2025上半年），美光计划以独家散热管理技术扩大市占。其在新加坡、日本广岛、美国纽约及中国台湾台中的HBM产线已启动建设，年度资本支出高达140亿美元。设备厂商指出，美光凭借热管理专利及地缘优势，或将在HBM领域快速追赶领先阵营。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
