三星HBM3E三次认证折戟，AI内存供应面临变局

【导读】三星电子在冲击AI内存高地的征途上遭遇阻力。2025年6月，其12层HBM3E芯片未通过英伟达的第三次技术认证。这家科技巨头被迫调整战略，计划于9月发起第四次认证冲刺。为把握AI内存需求机遇，三星此前已提前提升HBM3E芯片产能，但此次认证延期显著推迟了其供应时间表。

认证障碍引发供应风险

瑞银分析师在最新报告中警示，三星12层HBM3E的认证仍处于“待决”状态。若第四次认证仍未通过，其向英伟达的出货节点将延期至2025年第四季度。英伟达等AI芯片巨头迫切需要高频宽、低能耗的HBM解决方案，三星的交付延迟将为竞争对手打开机会窗口。

美光技术优势显现

反观美光科技，其HBM技术进展令人瞩目。通过采用韩美半导体公司的热压键合（TCB）尖端设备，美光在多层堆叠技术上实现突破。据产业链验证，其12层HBM3E芯片良率攀升至70%，8层芯片良率达75%。技术突破助力美光成为HBM3E领域的重要竞争者。

HBM4战场提前布局

在下一代HBM4领域的角逐中，美光同样展现锐气。公司确认已向主要客户交付第六代HBM4工程样品。该举措使美光成为全球第二家实现HBM4样品交付的DRAM厂商（继SK海力士于2025年3月交付之后）。这标志着高端AI内存技术竞争已延伸至下一代产品。

需求增长预期微调

虽然HBM市场需求持续旺盛，但行业巨头定制化AI芯片的量产延期已对短期需求构成影响。瑞银在最新预测中将2025年全球HBM需求预期从1890亿GB微调至1630亿GB，2026年需求预估也从2610亿GB调整为2540亿GB，整体仍保持高速增长趋势。