发布时间:2025-06-16 阅读量:3445 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。
停产触发供给恐慌,神秘买家扫货巩固库存
此次价格异动的核心推力是三星、美光等巨头陆续启动DDR4停产计划。三星已通知客户上半年完成最后订单,美光则正式将产能转向DDR5和HBM。供给收缩预期引发OEM/ODM厂商紧急备货,戴尔、联想等企业二季度DRAM订单量环比激增45%,其中AI服务器高带宽内存占比升至38%。渠道消息称,神秘买家大举扫货进一步加剧短缺,部分型号渠道库存骤降至1.2个月。
政策与需求共振,短期波动催化市场博弈
美国暂停存储芯片进口关税90天的政策窗口,触发产业链“抢跑式采购”。5月中国NAND进口量环比暴涨60%,SK海力士176层3D NAND芯片一度断货。需求端则受AI算力扩张驱动:全球AI服务器占比攀升至30%,带动企业级存储采购激增;AI手机与PC的DRAM配置提升至16GB/32GB,加剧消费端资源争夺。摩根士丹利指出,当前30%的企业订单属“超前备货”,若下半年实际需求不及预期,可能引发库存调整风险。
技术迭代加速分化,中国厂商逆势扩张
在DDR5主导的技术过渡期,市场呈现冰火两重天:
● DDR4 凭借成熟生态和性价比,256GB RDIMM模组价格突破180美元(较年初涨23%),仍是数据中心扩容主力;
● DDR5 受制于配套主板高成本,市场份额停滞在15%左右。 中国存储企业借势扩大产能,长鑫存储DRAM产量预计2025年增长68%,全球份额突破5%;长江存储凭借Xtacking技术将NAND成本降低30%,加速替代国际厂商。
行业面临重构,存算一体或破局
当前危机暴露存储产业深层矛盾:旧产能未完全出清,新生态尚未成熟。头部企业正通过技术革新破局:美光加速HBM4E研发(带宽提升50%),三星推进存算一体芯片(AI推理能效比升8倍)。TrendForce预测,2025年支持存内计算的芯片市场规模将达120亿美元,年复合增长率超65%。随着HBM产能占比向30%攀升,DRAM市场或持续面临23%的供应缺口。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems(纳斯达克:ALGM)于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示,公司当季实现营业收入2.03亿美元,较去年同期大幅提升22%,创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求,其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%,工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能(AI)需求驱动,全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器(HBM)领域的领先优势,首次超越三星电子,以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元,同比下滑3%,退居次席。
8月1日,英伟达官网更新其800V高压直流(HVDC)电源架构关键合作伙伴名录,中国氮化镓(GaN)技术领军企业英诺赛科(Innoscience)赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案,成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%,市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS(Monolithic Power Systems)于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示,公司本季度业绩表现亮眼,多项核心指标实现显著增长,并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子(Mouser Electronics)于2025年8月正式推出工业自动化资源中心,为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展,旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。