三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

【导读】韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

AMD MI350系列芯片性能参数全面曝光

在近日举行的AI Advancing 2025技术峰会上，AMD正式发布了两款旗舰级AI芯片——MI350X与MI355X。经官方确认，这两款产品均采用三星电子与美光联合供应的12层堆叠HBM3E内存技术。值得关注的是，此次合作打破了三星在英伟达HBM认证中的困境，重新确立了其在高端存储市场的竞争地位。

芯片设计方面，MI350X与MI355X采用相同的核心架构，仅在散热解决方案上存在差异，这一设计区别直接影响芯片的最高运行频率表现。两款产品均配备288GB海量内存容量，较上一代MI300X的192GB实现高达50%的容量跃升，对比同期发布的MI325X也实现了12.5%的性能升级。

HBM内存市场格局面临重大重构

更值得关注的是，AMD同步公布了新一代AI服务器架构方案。采用8颗MI350系列GPU构建的服务器系统将搭载总计2.3TB的HBM3E内存。公司已规划商用128 GPU规模的服务器集群方案，这一战略部署将直接推动三星HBM产品的千万级美元订单量级。

着眼于2026年的技术路线图，AMD宣布下一代MI400系列GPU将率先采用HBM4内存标准，单卡内存容量将突破至432GB。采用72颗MI400打造的Helios超级服务器，总内存容量将达到31TB的惊人规模。AMD CEO苏姿丰博士在发布会现场强调："全新架构的AI算力水平将与英伟达Vera Rubin平台相当，但在HBM内存容量与带宽性能上实现1.5倍的绝对优势。"

HBM4技术竞赛进入白热化阶段

行业动态显示，随着JEDEC标准组织的规范确立，HBM4内存已进入量产倒计时阶段。三星电子与SK海力士均已宣布将在2025年底实现HBM4的规模化量产。当前HBM市场格局中（Omdia 2025Q1数据），SK海力士以36.9%份额领先，三星电子以34.4%位居次席，美光科技占25%市场份额。

三星正在酝酿技术反攻计划，其HBM4将采用业界最先进的第六代10nm级（1c）制程工艺，而竞争对手则主要采用第五代10nm级（1b）方案。韩国市场分析师指出："若三星无法在HBM4技术迭代中建立决定性优势，与SK海力士的差距可能继续扩大。"与此同时，AMD正借助MI400平台全力追赶英伟达的领先地位，这对三星而言既是机遇更是挑战，巩固与AMD在MI350系列建立的战略同盟至关重要。