发布时间：2025-06-17 阅读量：661 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
HBM4至HBM5：定制化与能效革新
2026年量产的HBM4将实现单堆栈348GB容量与2TB/s带宽，I/O位宽翻倍至2048 bit。其升级版HBM4E将引入可编程基底芯片，针对AI、超算等场景优化定制。2029年推出的HBM5延续微凸块（MR-MUF）封装技术，但通过I/O数量倍增（4096 bit）推动带宽达4TB/s，容量提升至80GB/堆栈。关键技术突破包括集成L3缓存、LPDDR/CXL接口及AI驱动的物理布局优化，单堆栈功耗预计增至100W，倒逼液冷等散热方案升级。
HBM6：架构重构与混合集成
2032年问世的HBM6将实现16GT/s数据传输率，带宽跃升至8TB/s。其革命性创新在于采用无凸点直接键合技术，结合硅-玻璃混合中介层架构，支持多塔式内存堆栈与内部网络交换。TSV硅通孔分布式设计优化信号完整性，AI工具将深度参与功耗与信号建模，单堆栈功耗达120W。
HBM7/8：颠覆性存储范式
2035年后的HBM7/8将彻底重构内存架构：传输速率突破32GT/s，HBM8带宽飙升至64TB/s（较HBM4提升32倍），单堆栈容量扩展至240GB。封装技术采用全3D堆叠与双面中介层，集成嵌入式流体通道强化散热。核心变革在于引入NAND闪存接口，实现存储-HBM直接数据迁移，显著降低处理器介入需求，但单堆栈功耗将达180W。KAIST预测AI代理将实时协同优化热管理、功耗及信号路径。
AI驱动的技术拐点
从HBM5代开始，机器学习深度融入芯片设计：初期聚焦物理布局与抖动抑制，至HBM6阶段扩展至生成式信号建模，最终在HBM8实现全栈自主优化。这种技术融合将大幅缩短研发周期，解决高频信号衰减与热密度失控等核心挑战。
路线图的研究属性声明
KAIST强调该预测基于学术分析，非企业商业计划。当前HBM4标准已定型，但后续演进仍存变数。玻璃基板、3D缓存堆叠等前瞻技术能否如期量产，取决于材料科学与封装工艺的突破进度。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
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